[發(fā)明專利]具有各種形狀的源極/漏極圖案的半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910505912.7
• 申請(qǐng)日: 2019-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN110600551B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉賢琯;崔珉姬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/08;H01L27/088;H01L27/02;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張波

一種半導(dǎo)體器件包括在襯底上的多個(gè)有源圖案。該半導(dǎo)體器件可以包括限定所述多個(gè)有源圖案的器件隔離層、與所述多個(gè)有源圖案交叉延伸的柵電極、以及在有源圖案上的源極/漏極圖案。所述多個(gè)有源圖案可以包括第一有源圖案和第二有源圖案。源極/漏極圖案包括在第一有源圖案上的第一部分、在第二有源圖案上的第二部分、以及從第一部分延伸并沿著第一有源圖案的上部延伸的第三部分。器件隔離層包括在源極/漏極圖案之下在第一有源圖案的側(cè)壁上的第一外部區(qū)段。第三部分的底表面的最低水平可以低于第一外部區(qū)段的頂表面的最高水平。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及具有各種形狀的源極/漏極圖案的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件由于許多原因如其小尺寸、其多功能性和/或其低制造成本在電子工業(yè)中以及在其它工業(yè)中是有益的。半導(dǎo)體器件可以包括存儲(chǔ)邏輯數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件、處理邏輯數(shù)據(jù)的操作的半導(dǎo)體邏輯器件、以及具有存儲(chǔ)元件和邏輯器件兩者的混合半導(dǎo)體器件。電子工業(yè)和其它工業(yè)的進(jìn)展已使半體器件具有越來越期望的增加的集成度。例如，已越來越多地要求具有高可靠性、高速度和/或多功能性的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件正逐漸變得更加復(fù)雜和更加集成以滿足這些要求的特性。

發(fā)明內(nèi)容

這里公開的本發(fā)明構(gòu)思提供了具有改善的電特性的半導(dǎo)體器件。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體器件可以包括在襯底上的多個(gè)有源圖案、限定所述多個(gè)有源圖案的器件隔離層、與所述多個(gè)有源圖案交叉延伸的柵電極、以及在所述多個(gè)有源圖案上的源極/漏極圖案。所述多個(gè)有源圖案可以包括第一有源圖案和第二有源圖案。源極/漏極圖案可以包括在第一有源圖案上的第一部分、在第二有源圖案上的第二部分、以及從第一部分延伸并沿著第一有源圖案的上部延伸的第三部分。器件隔離層可以包括在第一有源圖案的側(cè)壁上并且在源極/漏極圖案之下的第一外部區(qū)段。源極/漏極圖案的第三部分的底表面的最低水平可以低于第一外部區(qū)段的頂表面的最高水平。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體器件可以包括在襯底上的多個(gè)有源圖案、限定所述多個(gè)有源圖案器件隔離層、與有源圖案交叉延伸的柵電極、以及在所述多個(gè)有源圖案上的源極/漏極圖案。所述多個(gè)有源圖案可以包括第一有源圖案、第二有源圖案和第三有源圖案。第二有源圖案可以在第一有源圖案與第三有源圖案之間。源極/漏極圖案可以包括在第一有源圖案上的第一部分、在第二有源圖案上的第二部分和在第三有源圖案上的第三部分。源極/漏極圖案的第一部分、第二部分和第三部分可以彼此合并。具有第一深度的第一谷可以被限定在源極/漏極圖案的第一部分與第二部分之間。具有第二深度的第二谷可以被限定在源極/漏極圖案的第二部分與第三部分之間。第二深度可以小于第一深度。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體器件可以包括：襯底；在襯底上的第一有源圖案、第二有源圖案和第三有源圖案；與第一有源圖案、第二有源圖案和第三有源圖案交叉延伸的柵電極；以及在第一有源圖案、第二有源圖案和第三有源圖案上的源極/漏極圖案。源極/漏極圖案可以包括分別在第一有源圖案、第二有源圖案和第三有源圖案上的第一部分、第二部分和第三部分。源極/漏極圖案的第一部分和第二部分可以彼此間隔開。源極/漏極圖案的第二部分和第三部分可以彼此合并。源極/漏極圖案的第二部分的底表面的最低水平可以低于源極/漏極圖案的第三部分的底表面的最低水平。

附圖說明

圖1A、2A、3A和4A示出了顯示根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些的制造半導(dǎo)體器件的方法中的操作的俯視圖。

圖1B、2B、3B和4B分別示出了沿圖1A、2A、3A和4A的線A-A'截取的剖視圖。

圖2C、3C和4C分別示出了沿圖2A、3A和4A的線B-B'截取的剖視圖。

圖2D、3D和4D分別示出了沿圖2A、3A和4A的線C-C'截取的剖視圖。

圖5示出了沿圖4A的線A-A'截取的剖視圖。