[發明專利]具有各種形狀的源極/漏極圖案的半導體器件

有效

• 申請號: 201910505912.7
• 申請日: 2019-06-12
• 公開（公告）號: CN110600551B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 劉賢琯;崔珉姬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L27/088;H01L27/02;H01L21/336
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體器件，包括：

在襯底上的多個有源圖案，其中所述多個有源圖案包括第一有源圖案和第二有源圖案，以及其中所述第一有源圖案包括彼此面對的第一側壁和第二側壁；

限定所述多個有源圖案的器件隔離層，所述器件隔離層包括在所述第一有源圖案和所述第二有源圖案之間的居間區段；

與所述多個有源圖案交叉延伸的柵電極；以及

在所述多個有源圖案上的源極/漏極圖案，

其中所述源極/漏極圖案包括：

在所述第一有源圖案上的第一部分；

在所述第二有源圖案上的第二部分；和

從所述第一部分延伸并沿著所述第一有源圖案的所述第二側壁的上部延伸的第三部分，

其中所述源極/漏極圖案從所述第一部分跨過所述居間區段延伸至所述第二部分，

其中所述器件隔離層包括在所述第一有源圖案的所述第二側壁上并且在所述源極/漏極圖案之下的第一外部區段，

其中所述源極/漏極圖案的所述第三部分的底表面的最低水平低于所述第一外部區段的頂表面的最高水平，

其中所述源極/漏極圖案的所述第三部分的所述底表面的最低水平低于所述居間區段的頂表面的最低水平，

其中所述第一有源圖案的所述第一側壁與所述源極/漏極圖案間隔開，以及

其中所述源極/漏極圖案的所述第三部分包括被圓化的外表面。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述源極/漏極圖案還包括第四部分，所述第四部分從所述源極/漏極圖案的所述第二部分延伸并沿著所述第二有源圖案的上部延伸，

其中所述器件隔離層還包括第二外部區段，所述第二外部區段在所述第二有源圖案的側壁上并且在所述源極/漏極圖案之下，以及

其中所述源極/漏極圖案的所述第四部分的底表面的最低水平低于所述第二外部區段的頂表面的最高水平。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一外部區段的所述頂表面的所述最高水平低于所述居間區段的所述頂表面的所述最低水平，以及

其中所述源極/漏極圖案的所述第三部分覆蓋所述第一外部區段的所述頂表面的至少一部分。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，還包括空隙，所述空隙在所述居間區段之上并且在所述第一有源圖案與所述第二有源圖案之間。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，隨著離所述第一有源圖案的距離增加，所述第一外部區段的所述頂表面的水平降低。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述源極/漏極圖案的所述第一部分和所述第二部分彼此合并。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述源極/漏極圖案的頂表面是平坦的。