[發明專利]量子點發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201910504816.0
• 申請日: 2019-06-12
• 公開（公告）號: CN112086563B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發明（設計）人: 胡忠宇;曹蔚然;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 方良

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種量子點發光二極管及其制備方法。一種量子點發光二極管，包括陽極、陰極以及位于所述陽極和所述陰極之間的量子點發光層，所述陰極和所述量子點發光層之間設置有電子傳輸層，所述電子傳輸層與所述量子點發光層之間設置含有聚烯烴的材料層，所述聚烯烴相互交聯形成網狀結構。本發明提供的量子點發光二極管中，在電子傳輸層與量子點發光層之設置有一層特殊的材料層，該材料層可以減少器件陰極的電子注入速率、調節量子點顆粒的分布，使量子點發光層與電子傳輸層的界面得到優化，從而提高器件的效率和壽命。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

近年來，隨著顯示技術的快速發展，以半導體量子點(QDs)材料作為發光層的量子點發光二極管(QLED)受到了廣泛的關注。量子點發光二極管色純度高、發光效率高、發光顏色可調以及器件穩定等良好的特點，使得其在平板顯示、固態照明等領域具有廣泛的應用前景。

目前，QLED通常采用三明治結構，器件中包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、陰極；其中，發光層即量子點發光層，是由一層納米顆粒組成，目前存在的問題是：如果納米顆粒濃度過低，無法形成一層致密的量子點層，即出現孔洞，會導致漏電流的發生；如果納米顆粒濃度過高，會出現納米顆粒的堆積，即有團簇生成，會導致Dexter能量轉移(Dexter能量轉移屬于非輻射能量轉移)，降低了器件的發光效率。因此，如何制備一層致密均勻的量子點發光層，是提高QLED發光效率的重要研究方向。另外，為了提高器件效率，使載流子在量子點發光層復合，目前常采用電子傳輸層來阻擋空穴和調整電子注入速率，但電子傳輸層與量子點發光層間容易出現界面缺陷，導致發生非輻射復合降低效率。

因此，現有技術有待改進。

發明內容

本發明的目的在于提供一種量子點發光二極管及其制備方法，旨在解決現有器件中量子點發光層不均勻、且與電子傳輸層之間存在界面缺陷，從而影響器件發光性能的技術問題。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

本發明一方面提供一種量子點發光二極管，包括陽極、陰極以及位于所述陽極和所述陰極之間的量子點發光層，所述陰極和所述量子點發光層之間設置有電子傳輸層，所述電子傳輸層與所述量子點發光層之間設置含有聚烯烴的材料層，所述聚烯烴相互交聯形成網狀結構。

本發明提供的量子點發光二極管中，在電子傳輸層與量子點發光層之設置有一層特殊的材料層，該材料層中含有相互交聯形成網絡結構的聚烯烴，聚烯烴形成的網絡結構一方面可以減少器件陰極的電子注入速率，從而平衡空穴電子的注入，抑制熒光猝滅，減少能量消耗使器件效率提高，另一方面可以調節量子點顆粒的分布，讓量子點顆粒較均勻分布到網狀結構的網孔中，從而抑制量子點團簇現象的出現，使量子點發光層均勻致密，減少漏電流；而且，由于量子點發光層均勻致密、成膜質量高，這樣量子點發光層與電子傳輸層的界面得到優化，量子點在電子傳輸層表面覆蓋率提高，使界面缺陷減少，界面穩定性提高，從而減弱了非輻射復合，從而進一步提高器件的效率和壽命。

本發明另一方面提供一種量子點發光二極管的制備方法，包括如下步驟：

所述量子點發光二極管為正置型器件時，

提供陽極基板；

在所述陽極基板上制備量子點發光層，然后在所述量子點發光層表面制備含有聚烯烴的材料層；或者，

所述量子點發光二極管為反置型器件時，

提供陰極基板；

在所述陰極基板上制備含有聚烯烴的材料層，然后在所述材料層的表面制備量子點發光層；

其中，所述聚烯烴相互交聯形成網狀結構。