[發(fā)明專利]電壓生成電路、半導體存儲裝置、以及電壓生成方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910504534.0 | 申請日: | 2019-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN110600063A | 公開(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 赤堀旭 | 申請(專利權(quán))人: | 拉碧斯半導體株式會社 |
| 主分類號: | G11C5/14 | 分類號: | G11C5/14 |
| 代理公司: | 11205 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 張曉霞;臧建明 |
| 地址: | 日本神奈川縣橫濱市港北區(qū)新*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 振蕩信號 電壓狀態(tài) 開關元件 控制電壓 輸出節(jié)點 電壓生成電路 接通狀態(tài) 半導體存儲裝置 電容器 接收控制電壓 開關控制部 電力消耗 電壓生成 電壓施加 斷開狀態(tài) 一端接收 一端連接 抑制電路 增大的 重復 | ||
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制電路規(guī)模及電力消耗的增大的電壓生成電路、半導體存儲裝置、以及電壓生成方法。且所述電壓生成電路包括:振蕩信號生成部,生成交替地重復第一電壓狀態(tài)與第二電壓狀態(tài)的振蕩信號;電容器,在一端接收振蕩信號,在另一端連接有輸出節(jié)點;開關元件,接收控制電壓并根據(jù)所述控制電壓而設定成接通狀態(tài)或斷開狀態(tài),當設定成接通狀態(tài)時將第一電壓施加至輸出節(jié)點;以及開關控制部,在振蕩信號處于第一電壓狀態(tài)的情況下,將第二電壓作為控制電壓而供給至開關元件,在振蕩信號處于第二電壓狀態(tài)的情況下,將輸出節(jié)點的電壓作為控制電壓而供給至開關元件。
技術領域
本發(fā)明涉及一種生成具有所期望的電壓值的電壓的電壓生成電路、包含電壓生成電路的半導體存儲裝置、以及電壓生成方法。
背景技術
在半導體存儲裝置中設置有生成施加至存儲器單元的各種正極性及負極性的電壓的電壓生成電路,以進行數(shù)據(jù)的讀出、寫入或擦除。
另外,作為此種電壓生成電路,已知有一種不僅可生成比電源電壓高的正極性的電壓,也可生成負極性的電壓的電荷泵電路(例如,參照日本專利特開平11-299227號公報(專利文獻1)的圖1及圖5)。
此種電荷泵電路中,首先,經(jīng)由作為開關構(gòu)件的金屬氧化物半導體(Metal OxideSemiconductor,MOS)型的晶體管而將接地電壓(0伏特(volt))施加至電容器的一端。進而,此期間中,通過對所述電容器的另一端施加5伏特的電源電壓來對電容器進行充電。繼而,將所述晶體管切換成關斷狀態(tài),并且將已施加至電容器的另一端的電源電壓切換成接地電壓,由此在此電容器的一端生成-5伏特的電壓作為負極性的電壓。
但是,由于所述晶體管的源極連接于電容器的一端,所以成為對所述晶體管的源極施加-5伏特的電壓。因而,為了將此晶體管設定成關斷狀態(tài),需要對其柵極施加-5伏特以下的控制電壓。
因此,在所述電荷泵電路中,設置有將供給至所述晶體管的柵極的控制電壓從接地電壓(0伏特)轉(zhuǎn)換成-5伏特的電平轉(zhuǎn)換電路,以將所述晶體管設定成關斷狀態(tài)。
發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所要解決的問題]
然而,在采用電荷泵電路作為電壓生成電路的情況下,為了對負擔電荷泵動作的晶體管確實地進行導通·關斷控制而需要電平轉(zhuǎn)換電路,從而導致電路規(guī)模及電力消耗的增加。
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠抑制電路規(guī)模及電力消耗的增大的電壓生成電路、半導體存儲裝置、以及電壓生成方法。
[解決問題的技術手段]
本發(fā)明的電壓生成電路是一種在輸出節(jié)點生成直流電壓的電壓生成電路,其包括:振蕩信號生成部,生成交替地重復第一電壓狀態(tài)與第二電壓狀態(tài)的振蕩信號;電容器,在一端接收所述振蕩信號,在另一端連接有所述輸出節(jié)點;開關元件,接收控制電壓并根據(jù)此控制電壓而設定成接通狀態(tài)或斷開狀態(tài),當設定成接通狀態(tài)時,將所述第一電壓施加至所述輸出節(jié)點;以及開關控制部,在所述振蕩信號處于所述第一電壓狀態(tài)的情況下,將所述第二電壓作為所述控制電壓而供給至所述開關元件,由此將所述開關元件設定成斷開狀態(tài),在所述振蕩信號處于所述第二電壓狀態(tài)的情況下,將所述輸出節(jié)點的電壓作為所述控制電壓而供給至所述開關元件,由此將所述開關元件設定成接通狀態(tài)。
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