[發明專利]電壓生成電路、半導體存儲裝置、以及電壓生成方法在審
| 申請號: | 201910504534.0 | 申請日: | 2019-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN110600063A | 公開(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發明(設計)人: | 赤堀旭 | 申請(專利權)人: | 拉碧斯半導體株式會社 |
| 主分類號: | G11C5/14 | 分類號: | G11C5/14 |
| 代理公司: | 11205 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 | 代理人: | 張曉霞;臧建明 |
| 地址: | 日本神奈川縣橫濱市港北區新*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 振蕩信號 電壓狀態 開關元件 控制電壓 輸出節點 電壓生成電路 接通狀態 半導體存儲裝置 電容器 接收控制電壓 開關控制部 電力消耗 電壓生成 電壓施加 斷開狀態 一端接收 一端連接 抑制電路 增大的 重復 | ||
1.一種電壓生成電路,是在輸出節點生成直流電壓的電壓生成電路,其特征在于,包括:
振蕩信號生成部,生成交替地重復第一電壓狀態與第二電壓狀態的振蕩信號;
電容器,在一端接收所述振蕩信號,在另一端連接有所述輸出節點;
開關元件,接收控制電壓并根據所述控制電壓而設定成接通狀態或斷開狀態,當設定成所述接通狀態時,將所述第一電壓施加至所述輸出節點;以及
開關控制部,在所述振蕩信號處于所述第一電壓狀態的情況下,將所述第二電壓作為所述控制電壓而供給至所述開關元件,由此將所述開關元件設定成所述斷開狀態,在所述振蕩信號處于所述第二電壓狀態的情況下,將所述輸出節點的電壓作為所述控制電壓而供給至所述開關元件,由此將所述開關元件設定成所述接通狀態。
2.根據權利要求1所述的電壓生成電路,其特征在于,
所述開關元件是晶體管,對所述晶體管的漏極施加所述第一電壓,將所述晶體管的源極連接于所述輸出節點,
所述開關控制部包含利用各自的柵極接收所述振蕩信號并且將各自的漏極連接于所述晶體管的柵極的一對晶體管,且對所述一對晶體管中的其中一個晶體管的源極施加所述第二電壓,所述一對晶體管中的另一個晶體管的源極連接于所述輸出節點。
3.根據權利要求1或2所述的電壓生成電路,其特征在于,所述第二電壓是比所述第一電壓高的正極性的電壓,
所述直流電壓是負極性的電壓。
4.根據權利要求1或2所述的電壓生成電路,其特征在于,所述第一電壓是比所述第二電壓高的正極性的電壓,
所述直流電壓是比所述第一電壓高的電壓。
5.一種電壓生成電路,是在輸出節點生成直流電壓的電壓生成電路,其特征在于,包括:
振蕩信號生成部,生成交替地重復第一電壓狀態與第二電壓狀態的第一振蕩信號、及使所述第一振蕩信號的相位反轉的第二振蕩信號;
第一節點及第二節點;
第一電容器,在一端接收所述第一振蕩信號,在另一端連接有所述第一節點;
第二電容器,在一端接收所述第二振蕩信號,在另一端連接有所述第二節點;
第一開關元件,根據第一控制電壓而設定成接通狀態或斷開狀態,當設定成所述接通狀態時,將所述第一電壓施加至所述第一節點;
第二開關元件,根據第二控制電壓而設定成接通狀態或斷開狀態,當設定成所述接通狀態時,將所述第一電壓施加至所述第二節點;
第一開關控制部,在所述第一振蕩信號處于所述第一電壓狀態的情況下,將所述第二電壓作為所述第一控制電壓而供給至所述第一開關元件,由此將所述第一開關元件設定成所述斷開狀態,在所述第一振蕩信號處于所述第二電壓狀態的情況下,將所述第二節點的電壓作為所述第一控制電壓而供給至所述第一開關元件,由此將所述第一開關元件設定成所述接通狀態;
第二開關控制部,在所述第二振蕩信號處于所述第一電壓狀態的情況下,將所述第二電壓作為所述第二控制電壓而供給至所述第二開關元件,由此將所述第二開關元件設定成所述斷開狀態,在所述第二振蕩信號處于所述第二電壓狀態的情況下,將所述第一節點的電壓作為所述第二控制電壓而供給至所述第二開關元件,由此將所述第二開關元件設定成所述接通狀態;
第一輸出開關元件,僅在所述第一控制電壓處于所述第二電壓狀態的情況下成為接通狀態,并將所述第一節點的電壓施加至所述輸出節點;以及
第二輸出開關元件,僅在所述第二控制電壓處于所述第二電壓狀態的情況下成為接通狀態,并將所述第二節點的電壓施加至所述輸出節點。
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