[發(fā)明專利]薄膜晶體管及電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910496628.8
• 申請(qǐng)日: 2019-06-10
• 公開（公告）號(hào): CN110289309B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏慧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/423
• 分類號(hào): H01L29/423;H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括柵極和源漏極層，所述柵極與所述源漏極層絕緣設(shè)置，所述柵極位于所述源漏極層的上方或下方；所述源漏極層包括漏極和源極，所述漏極和所述源極相對(duì)設(shè)置；

所述柵極包括至少一個(gè)柵極單元，所述柵極單元包括至少兩條條形柵極分支，相鄰的兩個(gè)所述條形柵極分支之間具有第一間隙，所述第一間隙將相鄰的所述條形柵極分支隔開；

所述至少兩條條形柵極分支之間相互電性連接；

所述柵極包括金屬線，所述金屬線位于所述柵極單元的一側(cè),所述柵極單元靠近所述金屬線的一側(cè)電性連接于所述金屬線；每個(gè)所述柵極單元包括至少兩個(gè)連接部，每個(gè)所述連接部與所述條形柵極分支一一對(duì)應(yīng)且電性連接；

在某一所述柵極單元中，所述至少兩個(gè)連接部與所述金屬線相連，所述連接部的寬度小于所述柵極分支的寬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，相鄰的所述柵極單元之間具有第二間隙，所述第二間隙將相鄰的所述柵極單元隔開；

所述第二間隙的寬度大于所述第一間隙的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一間隙的寬度大于3微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極單元沿著第一方向排列設(shè)置；所述條形柵極分支沿著所述第一方向排列設(shè)置；

所述源極包括至少一個(gè)源極單元，所述源極單元沿著所述第一方向排列設(shè)置；每個(gè)所述源極單元包括多個(gè)U形源極分支，所述U形源極分支沿第二方向排列設(shè)置；

所述漏極包括至少一個(gè)漏極單元，所述漏極單元沿著所述第一方向且與所述源極單元相對(duì)設(shè)置，所述漏極單元包括多個(gè)條形漏極分支，所述條形漏極分支沿所述第二方向間隔排列設(shè)置；

所述條形漏極分支設(shè)置在所述U形源極分支的開口內(nèi)，并與所述U形源極分支間隔設(shè)置；

所述第一方向垂直于所述第二方向。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極包括兩個(gè)所述柵極單元，每個(gè)所述柵極單元包括兩個(gè)所述條形柵極分支；

所述源極包括兩個(gè)所述源極單元，所述漏極包括兩個(gè)所述漏極單元，所述兩個(gè)漏極單元位于所述兩個(gè)源極單元之間；

每個(gè)所述柵極單元的上方對(duì)應(yīng)設(shè)置有相鄰的所述源極單元和所述漏極單元。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極包括第一柵極單元、第二柵極單元和第三柵極單元，所述第一柵極單元包括兩個(gè)所述條形柵極分支，所述第二柵極單元包括四條所述條形柵極分支，所述第三柵極單元包括兩條條形柵極分支；

所述源極包括第一源極單元、第二源極單元、第三源極單元和第四源極單元，所述第一源極單元和所述第二源極單元相對(duì)設(shè)置，所述第二源極單元和所述第三源極單元背向設(shè)置，所述第三源極單元和所述第四源極單元相對(duì)設(shè)置；

所述漏極包括第一漏極單元、第二漏極單元、第三漏極單元和第四漏極單元，所述第一漏極單元和所述第二漏極單元背向設(shè)置，且二者設(shè)置在所述第一源極單元和所述第二源極單元之間；所述第三漏極單元和所述第四漏極單元背向設(shè)置，且二者設(shè)置在所述第三源極單元和所述第四源極單元之間；

所述第一柵極單元的上方設(shè)置有所述第一源極單元和所述第一漏極單元，所述第二柵極單元的上方設(shè)置有所述第二源極單元、第二漏極單元、第三源極單元和第三漏極單元，所述第三柵極單元的上方設(shè)置有所述第四源極單元和所述第四漏極單元。

7.一種電路，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。