[發明專利]圖像傳感器及其形成方法

在審

• 申請號: 201910492875.0
• 申請日: 2019-06-06
• 公開（公告）號: CN110416185A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 張瑞鴻;張松
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

一種圖像傳感器及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底包括若干相互分立的單元區，相鄰單元區之間具有切割區；在所述基底的單元區表面和切割區表面形成初始透鏡層；刻蝕切割區表面的部分所述初始透鏡層，直至暴露出基底表面，在切割區表面形成若干相互分立的對準標記。所述方法能夠提高對對準標記的檢測效率。

技術領域

本發明涉及本半導體技術領域，尤其涉及一種圖像傳感器及其形成方法。

背景技術

集成電路是由許多形成在基底上的電路元件以及多層堆疊在襯底上方的 介電層與金屬互連線所構成。隨著集成電路設計線寬的縮小以及集成度的不 斷提高，在對晶圓進行曝光步驟時，晶圓對準精確度(alignment accuracy)就 顯得相當重要。

現有的半導體的制作過程中，在晶圓上制作半導體器件之前，需對晶圓 進行布局設計，將晶圓劃分為若干單元區(Die)和位于單元區之間的切割槽 (Scribe line)。所述單元區用于后續形成半導體器件，切割槽用于在半導體器 件制作完成時，作為封裝階段單元區分割時的切割線。在設計用于劃分晶圓 表面的單元區和切割槽的光刻版圖時，通常將光刻對準標記(alignment mark) 和套刻測量標記(overlay mark)等光刻工藝中所需要用到的標記圖形形成在 切割道。

在利用對準標記進行晶圓對準的過程中，需要對對準標記進行檢測，但 是現有技術在檢測對準標記的過程中存在著各種誤差，導致現有技術的對準 標記檢測效率低。

發明內容

本發明解決的技術問題是提供一種圖像傳感器及其形成方法，以提高對 對準標記的檢測效率。

為解決上述技術問題，本發明提供一種圖像傳感器的形成方法，包括： 提供基底，所述基底包括若干相互分立的單元區，相鄰單元區之間具有切割 區；在所述基底的單元區表面和切割區表面形成初始透鏡層；刻蝕切割區表 面的部分所述初始透鏡層，直至暴露出基底表面，在切割區表面形成若干相 互分立的對準標記。

可選的，還包括：形成對準標記之后，在所述基底表面形成遮光層，所 述遮光層位于所述對準標記頂部表面和側壁表面，所述遮光層包括第一部和 第二部，所述第一部位于對準標記頂部表面，所述第二部位于相鄰對準標記 之間的基底表面，且第一部的表面高于第二部的表面。

可選的，對所述遮光層進行光刻圖形化工藝；在所述光刻圖形化工藝中， 以所述對準標記進行對準。

可選的，所述遮光層的材料為黑色光刻膠；所述黑色光刻膠吸收的光波 長范圍為300納米～1200納米。

可選的，刻蝕部分所述初始透鏡層的方法包括：在所述初始透鏡層表面 形成初始掩膜層；刻蝕部分初始掩膜層，直至暴露出初始透鏡層表面，在所 述切割區表面的初始透鏡層表面形成若干相互分立的掩膜層；以所述掩膜層 為掩膜刻蝕所述初始透鏡層，在切割區表面形成若干相互分立的對準標記。

可選的，所述單元區包括相鄰的第一區和第二區，第二區位于第一區和 切割區之間，所述第二區內具有互連結構，且基底暴露出互連結構表面。

可選的，所述掩膜層還暴露出第二區表面的初始透鏡層；刻蝕部分所述 初始透鏡層的方法還包括：以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述單元區上的部分初 始透鏡層，在所述單元區上形成透鏡層，所述透鏡層暴露出第二區表面。

可選的，所述第一區包括若干相互分立的像素區，且相鄰像素區之間具 有隔離區。

可選的，還包括：形成初始透鏡層之前，在所述像素區表面形成濾光片， 在所述隔離區表面形成柵格，且所述初始透鏡層覆蓋濾光片表面和柵格表面。

可選的，所述初始掩膜層的材料為光刻膠；形成所述掩膜層的方法包括： 對所述初始掩膜層進行曝光顯影，形成所述掩膜層。