[發明專利]圖像傳感器及其形成方法

在審

• 申請號: 201910492875.0
• 申請日: 2019-06-06
• 公開（公告）號: CN110416185A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 張瑞鴻;張松
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括若干相互分立的單元區，相鄰單元區之間具有切割區；

在所述基底的單元區表面和切割區表面形成初始透鏡層；

刻蝕切割區表面的部分所述初始透鏡層，直至暴露出基底表面，在切割區表面形成若干相互分立的對準標記。

2.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，還包括：形成對準標記之后，在所述基底表面形成遮光層，所述遮光層位于所述對準標記頂部表面和側壁表面，所述遮光層包括第一部和第二部，所述第一部位于對準標記頂部表面，所述第二部位于相鄰對準標記之間的基底表面，且第一部的表面高于第二部的表面。

3.如權利要求2所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，對所述遮光層進行光刻圖形化工藝；在所述光刻圖形化工藝中，以所述對準標記進行對準。

4.如權利要求2所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述遮光層的材料為黑色光刻膠；所述黑色光刻膠吸收的光波長范圍為300納米～1200納米。

5.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，刻蝕部分所述初始透鏡層的方法包括：在所述初始透鏡層表面形成初始掩膜層；刻蝕部分初始掩膜層，直至暴露出初始透鏡層表面，在所述切割區表面的初始透鏡層表面形成若干相互分立的掩膜層；以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述初始透鏡層，在切割區表面形成若干相互分立的對準標記。

6.如權利要求5所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述單元區包括相鄰的第一區和第二區，第二區位于第一區和切割區之間，所述第二區內具有互連結構，且基底暴露出互連結構表面。

7.如權利要求6所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述掩膜層還暴露出第二區表面的初始透鏡層；刻蝕部分所述初始透鏡層的方法還包括：以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述單元區表面的部分初始透鏡層，在所述單元區上形成透鏡層，所述透鏡層暴露出第二區表面。

8.如權利要求6所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第一區包括若干相互分立的像素區，且相鄰像素區之間具有隔離區。

9.如權利要求8所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，還包括：形成初始透鏡層之前，在所述像素區表面形成濾光片，在所述隔離區表面形成柵格，且所述初始透鏡層覆蓋濾光片表面和柵格表面。

10.如權利要求5所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述初始掩膜層的材料為光刻膠；形成所述掩膜層的方法包括：對所述初始掩膜層進行曝光顯影，形成所述掩膜層。

11.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述初始透鏡層的材料包括：透明有機材料；所述透明有機材料包括：環氧樹脂或者聚甲基丙烯酸甲酯。

12.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述對準標記沿垂直于基底表面方向上的厚度為0.5微米～1.5微米。

13.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述基底表面具第一抗反射材料層；所述第一抗反射材料層的材料包括：氮化硅、氧化鋁、氧化鈷或者氧化鉭。

14.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，形成初始透鏡層之后，形成所述對準標記之前，還包括：在所述初始透鏡層表面形成第二抗反射材料層。

15.一種采用權利要求1至14任一項所述方法形成的圖像傳感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括若干相互分立的單元區，相鄰單元區之間具有切割區；

位于所述切割區表面的若干相互分立的對準標記。