[發明專利]近紅外窄帶濾光片及制作方法

在審

• 申請號: 201910487259.6
• 申請日: 2019-06-05
• 公開（公告）號: CN110082849A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 肖念恭;方葉慶;丁維紅;陳策
• 申請（專利權）人: 信陽舜宇光學有限公司
• 主分類號: G02B5/28
• 分類號: G02B5/28
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;王艷春

本申請提供一種近紅外窄帶濾光片及制作方法。上述濾光片包括：基板；窄帶通膜系，窄帶通膜系設置在基板的第一側；以及寬帶通膜系或長波通膜系，其中，寬帶通膜系設置在基板的與第一側相對的第二側，寬帶通膜系的通帶寬于窄帶通膜系的通帶，長波通膜系設置在基板的與第一側相對的第二側，長波通膜系的通帶寬于窄帶通膜系的通帶，其中，窄帶通膜系包括在780～3000nm的波長范圍內折射率大于3的高折射率層以及折射率小于3的低折射率層，以及其中，近紅外窄帶濾光片的反射色在CIE xyz坐標系下滿足：x<0.509；y<0.363；以及z<50％。本申請的技術方案可得到多樣化反射色、低反射能量強度、低反射色亮度的近紅外窄帶濾光片，滿足手機全面屏中的屏下器件及車載器件應用需求。

技術領域

本申請涉及光學元件領域，具體地，涉及一種近紅外窄帶濾光片及制作方法。

背景技術

隨著科技的進步與發展，濾光片在一些具有人臉識別或手勢識別功能的終端上得到廣泛應用，比如智能手機、車載激光雷達、安防門禁、智能家居、虛擬現實/增強現實/混合現實、3D體感游戲、3D攝像與顯示等終端設備。

而現有的濾光片在終端設備具有應用時，會出現光線反射的問題，因此需要性能更加優良的濾光片，以更好的應用于終端設備。

發明內容

針對現有技術中存在的技術問題，本申請實施例提供一種近紅外窄帶濾光片及制作方法。

第一方面，本申請實施例提供一種近紅外窄帶濾光片，包括：基板；窄帶通膜系，所述窄帶通膜系設置在所述基板的第一側；以及寬帶通膜系或長波通膜系，其中，所述寬帶通膜系設置在所述基板的與所述第一側相對的第二側，所述寬帶通膜系的通帶寬于所述窄帶通膜系的通帶，所述長波通膜系設置在所述基板的與所述第一側相對的第二側，所述長波通膜系的通帶寬于窄帶通膜系的通帶，其中，所述窄帶通膜系包括在780～3000nm的波長范圍內折射率大于3的高折射率層以及折射率小于3的低折射率層，以及其中，所述近紅外窄帶濾光片的反射色在CIE xyz坐標系下滿足：x<0.509；y<0.363；以及z<50％。

根據本申請實施方式，所述近紅外窄帶濾光片的反射色在CIE xyz坐標系下滿足：x<0.509；y<0.363；以及z<30％。

根據本申請實施方式，所述窄帶通膜系還包括中折射率層，其中：所述中折射率層的折射率介于所述高折射率層的折射率與所述低折射率層的折射率之間。

根據本申請實施方式，所述高折射率層由氫化硅、Si_xGe_1-x和Si_xGe_1-x：H中的一種或多種物質形成，或所述高折射率鍺基層由氫化鍺、Si_xGe_1-x和Si_xGe_1-x：H中的一種或多種物質形成。

根據本申請實施方式，所述低折射率層由SiO₂、Si₃N₄、SiO_xN_y、Ta₂O₅、Nb₂O₅、TiO₂、Al₂O₃、SiCN和SiC中的一種或多種物質形成。

根據本申請實施方式，還包括：在780～3000nm的波長范圍內的折射率介于1.7～4.5的多個中折射率層。