[發(fā)明專利]近紅外窄帶濾光片及制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910487259.6
• 申請日: 2019-06-05
• 公開（公告）號: CN110082849A
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肖念恭;方葉慶;丁維紅;陳策
• 申請（專利權(quán)）人: 信陽舜宇光學(xué)有限公司
• 主分類號: G02B5/28
• 分類號: G02B5/28
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 王達(dá)佐;王艷春

1.一種近紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述近紅外窄帶濾光片包括：

基板；

窄帶通膜系，所述窄帶通膜系設(shè)置在所述基板的第一側(cè)；以及

寬帶通膜系或長波通膜系，其中，所述寬帶通膜系設(shè)置在所述基板的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)，所述寬帶通膜系的通帶寬于所述窄帶通膜系的通帶，所述長波通膜系設(shè)置在所述基板的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)，所述長波通膜系的通帶寬于窄帶通膜系的通帶，

其中，所述窄帶通膜系包括在780～3000nm的波長范圍內(nèi)折射率大于3的高折射率層以及折射率小于3的低折射率層，以及

其中，所述近紅外窄帶濾光片的反射色在CIE xyz坐標(biāo)系下滿足：

x<0.509；

y<0.363；以及

z<50％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述近紅外窄帶濾光片的反射色在CIE xyz坐標(biāo)系下滿足：

x<0.509；

y<0.363；以及

z<30％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述窄帶通膜系還包括中折射率層，其中：

所述中折射率層的折射率介于所述高折射率層的折射率與所述低折射率層的折射率之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述高折射率層由氫化硅、Si_xGe_1-x和Si_xGe_1-x：H中的一種或多種物質(zhì)形成，或所述高折射率鍺基層由氫化鍺、Si_xGe_1-x和Si_xGe_1-x：H中的一種或多種物質(zhì)形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述低折射率層由SiO₂、Si₃N₄、SiO_xN_y、Ta₂O₅、Nb₂O₅、TiO₂、Al₂O₃、SiCN和SiC中的一種或多種物質(zhì)形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外窄帶濾光片，其特征在于，還包括：

在780～3000nm的波長范圍內(nèi)的折射率介于1.7～4.5的多個中折射率層。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的近紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述中折射率層由a-SiO_x:H_y、a-SiN_x:H_y、a-GeO_x:H_y、a-GeN_x:H_y、a-Si_zGe_1-zO_x:H_y和a-Si_zGe_1-zN_x:H_y中的一種或多種物質(zhì)形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外窄帶濾光片，其特征在于，當(dāng)入射光線以0度至30度之間入射至所述近紅外窄帶濾光片中時，所述窄帶通膜系的通帶的中心波長漂移量在16nm以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述近紅外窄帶濾光片的p光和s光的中心波長漂移在5nm以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近紅外窄帶濾光片，其特征在于，所述窄帶通膜系和所述寬帶通膜系或所述長波通膜系的總厚度小于15μm。