[發明專利]一種IBC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構在審
| 申請號: | 201910486175.0 | 申請日: | 2019-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN110289322A | 公開(公告)日: | 2019-09-27 |
| 發明(設計)人: | 吳翔;宋志成;郭永剛;屈小勇;馬繼奎;張博;高嘉慶 | 申請(專利權)人: | 國家電投集團西安太陽能電力有限公司;國家電投集團西安太陽能電力有限公司西寧分公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;B41F15/36 |
| 代理公司: | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人: | 馮子玲 |
| 地址: | 710099 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖形層 副柵線 有效地 太陽能電池 金屬電極 金屬復合 印刷網版 電極 硅基體 漿料 圓點 制備金屬電極 導電性 短路電流 非接觸型 接觸電阻 開路電壓 轉換效率 接觸型 直通式 連通 制備 匹配 摻雜 電池 傳輸 | ||
本發明的目的在于公開一種IBC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,它包括DP1圖形層、DP2圖形層和DP3圖形層,DP3圖形層疊印在DP1圖形層和DP2圖形層上;與現有技術相比,DP1圖形層和DP2圖形層采用圓點式副柵線,有效地降低了金屬電極與硅基體的接觸面積,從而降低金屬電極的金屬復合,制備金屬電極時分別采用匹配P+和N+摻雜特性的接觸型漿料,有效地降低了接觸電阻;DP3圖形層采用直通式副柵線,制備電極時采用導電性好的非接觸型漿料,既防止金屬電極與硅基體接觸,極大地降低電極的金屬復合,又將圓點式副柵線連通,有效地收集、傳輸電池產生的電流,有效地提高了IBC太陽能電池的開路電壓、短路電流和轉換效率,實現本發明的目的。
技術領域
本發明涉及一種太陽能電池副柵線印刷網版結構,特別涉及一種IBC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構。
背景技術
近年來,環境污染已經嚴重威脅到了社會與經濟的發展和每個人的生存。在全球性化能源日益耗盡、環境污染不斷加重的今天,太陽能將與其他新型能源一起成為石油、煤、天然氣等不可再生能源的理想補充和替代能源。隨著光伏產業的迅猛發展,太陽能電池轉換效率不斷提高,成本不斷降低,使得光伏發電的前景更為光明和寬闊。
IBC太陽能電池,其中的IBC具體為Interdigitated back contact,可理解為一種背結太陽能電池,較常規太陽能電池,IBC太陽能電池的工藝流程要相對復雜。IBC太陽能電池中,背面電極的制備一直是工藝難點。目前,主要通過絲網印刷技術單次印刷一種漿料制備電極,此方式一方面無法使P+摻雜區和N+摻雜區分別匹配最佳的漿料制備電極,影響了電極和摻雜區的接觸電阻,另一方面整個副柵線圖形均與硅基體接觸,極大地增加了電極的金屬復合,這兩點都嚴重影響了IBC太陽能電池的光電轉換效率。
因此,特別需要一種IBC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,以解決上述現有存在的問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種IBC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,針對現有技術的不足,解決了采用單次印刷一種漿料制備電極難以獲得更好的技術接觸和更低的金屬復合,限制電池轉換效率提升的問題。
本發明所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現:
一種IBC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,其特征在于,它包括DP1圖形層、DP2圖形層和DP3圖形層構成的三次印刷網版結構,所述DP3圖形層疊印在所述DP1圖形層和所述DP2圖形層上,所述DP1圖形層包括與P+(N+)摻雜區接觸的圓點式副柵線及Mark點,所述DP2圖形層包括與DP1圖形層極性相反的N+(P+)摻雜區接觸的圓點式副柵線及Mark點,所述DP3圖形層包括連接DP1圖形層和DP2圖形層中圓點式副柵線的直通式副柵線及Mark點。
在本發明的一個實施例中,所述DP1圖形層的圓點式副柵線之間平行設置,所述圓點式副柵線的圓點直徑為20μm-80μm,相鄰圓點的圓心距為60μm-240μm。
進一步,所述DP1圖形層的圓點式副柵線的數量為100根以上。
在本發明的一個實施例中,所述DP1圖形層的Mark點包括由漿料印刷而成且位于兩相鄰圓點之間對稱分布于DP1圖形層表面的實心十字形及由漿料印刷而成且位于兩相鄰副柵線之間對稱分布于DP1圖形層表面的實心正方形。
進一步,所述DP1圖形層的Mark點的數量為4個。
在本發明的一個實施例中,所述DP2圖形層的圓點式副柵線之間平行設置,所述圓點式副柵線的圓點直徑為20μm-80μm,相鄰圓點的圓心距為60μm-240μm。
進一步,所述DP2圖形層的圓點式副柵線的數量為100根以上。
在本發明的一個實施例中,所述DP2圖形層的Mark點為由漿料印刷而成且位于兩相鄰副柵線之間對稱分布于DP2圖形層表面的空心正方形框體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





