[發明專利]一種IBC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構在審
| 申請號: | 201910486175.0 | 申請日: | 2019-06-05 |
| 公開(公告)號: | CN110289322A | 公開(公告)日: | 2019-09-27 |
| 發明(設計)人: | 吳翔;宋志成;郭永剛;屈小勇;馬繼奎;張博;高嘉慶 | 申請(專利權)人: | 國家電投集團西安太陽能電力有限公司;國家電投集團西安太陽能電力有限公司西寧分公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;B41F15/36 |
| 代理公司: | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人: | 馮子玲 |
| 地址: | 710099 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖形層 副柵線 有效地 太陽能電池 金屬電極 金屬復合 印刷網版 電極 硅基體 漿料 圓點 制備金屬電極 導電性 短路電流 非接觸型 接觸電阻 開路電壓 轉換效率 接觸型 直通式 連通 制備 匹配 摻雜 電池 傳輸 | ||
1.一種I BC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,其特征在于,它包括DP1圖形層、DP2圖形層和DP3圖形層構成的三次印刷網版結構,所述DP3圖形層疊印在所述DP1圖形層和所述DP2圖形層上,所述DP1圖形層包括與P+(N+)摻雜區接觸的圓點式副柵線及Mark點,所述DP2圖形層包括與DP1圖形層極性相反的N+(P+)摻雜區接觸的圓點式副柵線及Mark點,所述DP3圖形層包括連接DP1圖形層和DP2圖形層中圓點式副柵線的直通式副柵線及Mark點。
2.如權利要求1所述的I BC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,其特征在于,所述DP1圖形層的圓點式副柵線之間平行設置,所述圓點式副柵線的圓點直徑為20μm-80μm,相鄰圓點的圓心距為60μm-240μm。
3.如權利要求2所述的I BC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,其特征在于,所述DP1圖形層的圓點式副柵線的數量為100根以上。
4.如權利要求1所述的I BC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,其特征在于,所述DP1圖形層的Mark點包括由漿料印刷而成且位于兩相鄰圓點之間對稱分布于DP1圖形層表面的實心十字形及由漿料印刷而成且位于兩相鄰副柵線之間對稱分布于DP1圖形層表面的實心正方形。
5.如權利要求4所述的I BC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,其特征在于,所述DP1圖形層的Mark點的數量為4個。
6.如權利要求1所述的I BC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,其特征在于,所述DP2圖形層的圓點式副柵線之間平行設置,所述圓點式副柵線的圓點直徑為20μm-80μm,相鄰圓點的圓心距為60μm-240μm。
7.如權利要求6所述的I BC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,其特征在于,所述DP2圖形層的圓點式副柵線的數量為100根以上。
8.如權利要求1所述的I BC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,其特征在于,所述DP2圖形層的Mark點為由漿料印刷而成且位于兩相鄰副柵線之間對稱分布于DP2圖形層表面的空心正方形框體。
9.如權利要求8所述的I BC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,其特征在于,所述DP2圖形層的Mark點的數量為4個。
10.如權利要求1所述的IBC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,其特征在于,所述DP3圖形層的直通式副柵線的數量與所述DP1圖形層的圓點式副柵線的數量和所述DP2圖形層的圓點式副柵線的數量之和相同,所述直通式副柵線之間相互平行設置。
11.如權利要求1所述的IBC太陽能電池副柵線三次印刷網版結構,其特征在于,所述DP3圖形層的Mark點為位于直通式副柵線上與所述DP1圖形層中Mark點的數量和位置一致的空心十字形。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于國家電投集團西安太陽能電力有限公司;國家電投集團西安太陽能電力有限公司西寧分公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司,未經國家電投集團西安太陽能電力有限公司;國家電投集團西安太陽能電力有限公司西寧分公司;青海黃河上游水電開發有限責任公司;國家電投集團黃河上游水電開發有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910486175.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





