[發明專利]一種顯示基板的制備方法、顯示基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201910478176.0 | 申請日: | 2019-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN110164945B | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 趙攀;蔣志亮;王格 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請提供了一種顯示基板的制備方法、顯示基板及顯示裝置,所述顯示基板包括有效顯示區域、打孔區域以及設置在所述有效顯示區域和所述打孔區域之間的臨界區域,所述臨界區域的顯示基板包括:基底,以及設置在所述基底上的至少一個第一阻擋墻,所述第一阻擋墻之間分立設置,所述第一阻擋墻包括層疊設置的金屬層和絕緣層,所述第一阻擋墻凸出所述基底表面。通過在臨界區域設置凸出基底表面的第一阻擋墻,第一阻擋墻在基底表面形成的起伏可以阻擋Crack的傳播,阻斷Crack延伸至有效顯示區域,從而提升顯示產品的可靠性。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種顯示基板的制備方法、顯示基板及顯示裝置。
背景技術
目前市場上手機攝像頭幾乎都放置于屏幕上方,由于攝像頭具有一定尺寸,所以往往會在整機上占據較大邊框,嚴重影響屏占比。隨著手機市場對全面屏手機的青睞,在顯示區內打孔,孔區放置攝像頭的產品孕育而生。
然而,在顯示區打孔的技術存在較多的難點。例如,在對顯示區進行切割時容易產生裂痕crack,并且在后續工藝過程中裂痕容易延伸到有效顯示區域,造成封裝失效,使顯示產品的可靠性降低。
發明內容
本發明提供一種顯示基板的制備方法、顯示基板及顯示裝置,以提升顯示產品的可靠性。
為了解決上述問題,本發明公開了一種顯示基板,包括有效顯示區域、打孔區域以及設置在所述有效顯示區域和所述打孔區域之間的臨界區域,所述臨界區域的顯示基板包括:基底,以及設置在所述基底上的至少一個第一阻擋墻,所述至少一個第一阻擋墻為凸起結構。
進一步地,所述至少一個第一阻擋墻包括依次層疊設置的第一柵極金屬層、第一柵極絕緣層、第二柵極金屬層、第二柵極絕緣層以及源漏電極金屬層,所述第一柵極金屬層比第一柵極絕緣層更靠近所述基底。
進一步地,所述基底包括:襯底以及設置在所述襯底上的無機膜層。
進一步地,所述臨界區域的顯示基板還包括:
設置在所述基底上、位于所述第一阻擋墻和所述有效顯示區域之間的第二阻擋墻,所述第二阻擋墻包括層疊設置的平坦層、第一像素界定層和第一支撐層,所述平坦層比所述第一像素界定層更靠近所述基底,第二阻擋墻的高度高于所述第一阻擋墻的高度。
進一步地,所述臨界區域的顯示基板還包括:設置在所述基底上、位于所述第二阻擋墻和所述有效顯示區域之間的第三阻擋墻,所述第三阻擋墻包括層疊設置的第二像素界定層和第二支撐層,所述第二像素界定層比所述第二支撐層更靠近所述基底,所述第三阻擋墻的高度大于第一阻擋墻的高度,小于等于第二阻擋墻的高度。
進一步地,所述源漏電極金屬層的材料包括層疊設置的第一鈦材料層、鋁材料層和第二鈦材料層,所述第一鈦材料層、鋁材料層和第二鈦材料層共同形成倒梯形結構。
進一步地,所述臨界區域的顯示基板還包括:設置在所述基底和所述第一阻擋墻上的第一功能層,所述第一功能層在被源漏電極金屬層斷開。
進一步地,所述第一阻擋墻包含層疊設置的金屬層和絕緣層。
本發明還公開了一種顯示基板的制備方法,所述顯示基板包括有效顯示區域、打孔區域以及設置在所述有效顯示區域和所述打孔區域之間的臨界區域,所述制備方法包括:提供基底;在所述基底上對應所述臨界區域的位置形成至少一個第一阻擋墻,所述至少一個第一阻擋墻為凸起結構。
進一步地,在所述基底上形成至少一個第一阻擋墻的步驟,包括:依次在所述基底上形成第一柵極金屬層、第一柵極絕緣層、第二柵極金屬層、第二柵極絕緣層以及源漏電極金屬層,進而得到所述至少一個第一阻擋墻。
進一步地,所述提供基底的步驟,包括:提供襯底;在所述襯底上形成無機膜材料;對所述無機膜材料進行刻蝕,得到無機膜層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





