[發(fā)明專利]一種顯示基板的制備方法、顯示基板及顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910478176.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110164945B | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙攀;蔣志亮;王格 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括有效顯示區(qū)域、打孔區(qū)域以及設(shè)置在所述有效顯示區(qū)域和所述打孔區(qū)域之間的臨界區(qū)域,所述臨界區(qū)域的顯示基板包括:
基底,以及設(shè)置在所述基底上的至少一個(gè)第一阻擋墻,所述至少一個(gè)第一阻擋墻為凸起結(jié)構(gòu);
所述至少一個(gè)第一阻擋墻包括依次層疊設(shè)置的第一柵極金屬層、第一柵極絕緣層、第二柵極金屬層、第二柵極絕緣層以及源漏電極金屬層,所述第一柵極金屬層比第一柵極絕緣層更靠近所述基底;
所述源漏電極金屬層的材料包括層疊設(shè)置的第一鈦材料層、鋁材料層和第二鈦材料層,所述第一鈦材料層、鋁材料層和第二鈦材料層共同形成倒梯形結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述基底包括:襯底以及設(shè)置在所述襯底上的無機(jī)膜層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述臨界區(qū)域的顯示基板還包括:
設(shè)置在所述基底上、位于所述第一阻擋墻和所述有效顯示區(qū)域之間的第二阻擋墻,所述第二阻擋墻包括層疊設(shè)置的平坦層、第一像素界定層和第一支撐層,所述平坦層比所述第一像素界定層更靠近所述基底,第二阻擋墻的高度高于所述第一阻擋墻的高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述臨界區(qū)域的顯示基板還包括:
設(shè)置在所述基底上、位于所述第二阻擋墻和所述有效顯示區(qū)域之間的第三阻擋墻,所述第三阻擋墻包括層疊設(shè)置的第二像素界定層和第二支撐層,所述第二像素界定層比所述第二支撐層更靠近所述基底,所述第三阻擋墻的高度大于第一阻擋墻的高度,小于等于第二阻擋墻的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述臨界區(qū)域的顯示基板還包括:
設(shè)置在所述基底和所述第一阻擋墻上的第一功能層,所述第一功能層在被源漏電極金屬層斷開。
6.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,所述顯示基板包括有效顯示區(qū)域、打孔區(qū)域以及設(shè)置在所述有效顯示區(qū)域和所述打孔區(qū)域之間的臨界區(qū)域,所述制備方法包括:
提供基底;
在所述基底上對(duì)應(yīng)所述臨界區(qū)域的位置形成至少一個(gè)第一阻擋墻,其中,所述至少一個(gè)第一阻擋墻為凸起結(jié)構(gòu);
在所述基底上形成至少一個(gè)第一阻擋墻的步驟,包括:
依次在所述基底上形成第一柵極金屬層、第一柵極絕緣層、第二柵極金屬層、第二柵極絕緣層以及源漏電極金屬層,進(jìn)而得到所述至少一個(gè)第一阻擋墻;
所述源漏電極金屬層的材料包括層疊設(shè)置的第一鈦材料層、鋁材料層和第二鈦材料層,所述第一鈦材料層、鋁材料層和第二鈦材料層共同形成倒梯形結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述提供基底的步驟,包括:
提供襯底;
在所述襯底上形成無機(jī)膜材料;
對(duì)所述無機(jī)膜材料進(jìn)行刻蝕,得到無機(jī)膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括:
在所述基底上、位于所述第一阻擋墻和所述有效顯示區(qū)域之間依次形成平坦層、第一像素界定層和第一支撐層,進(jìn)而得到第二阻擋墻,所述第二阻擋墻的高度大于所述第一阻擋墻的高度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括:
在所述基底上、且位于所述第二阻擋墻和所述有效顯示區(qū)域之間依次形成第二像素界定層和第二支撐層,進(jìn)而得到第三阻擋墻,所述第三阻擋墻的高度大于第一阻擋墻的高度,小于等于第二阻擋墻的高度。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括:
在所述基底和所述第一阻擋墻上形成第一功能層,所述第一功能層被所述源漏電極金屬層斷開。
11.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的顯示基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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