[發明專利]半導體封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201910477411.2
• 申請日: 2019-06-03
• 公開（公告）號: CN110120385A
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 陳彥亨;林正忠;吳政達
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L23/66
• 分類號: H01L23/66;H01L23/15;H01Q1/22;H01L21/48
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 史治法

1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：

玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；

第一天線層，位于所述玻璃基板的第一表面；

第二天線層，位于所述玻璃基板的第二表面；

第一電連接結構，自所述玻璃基板的第一表面延伸至所述玻璃基板的第二表面，且與所述第一天線層及所述第二天線層電連接；

第二電連接結構，位于所述第二天線層遠離所述玻璃基板的表面；

塑封層，位于所述玻璃基板的第二表面，且將所述第二天線層及所述第二電連接結構塑封；

重新布線層，位于所述塑封層遠離所述玻璃基板的表面，所述重新布線層與所述第二電連接結構電連接；

芯片，倒裝鍵合于所述重新布線層遠離所述塑封層的表面，且與所述重新布線層電連接；

焊球凸塊，位于所述重新布線層遠離所述塑封層的表面，且與所述重新布線層電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述第一天線層包括多個間隔排布的第一天線，所述第二天線層包括多個間隔排布的第二天線，所述第一電連接結構的數量為多個；所述第一天線、所述第二天線及所述第一電連接結構的數量相同，所述第一天線與所述第二天線一一上下對應設置，所述第一電連接結構將所述第一天線與所述第二天線一一對應電連接。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述第一電連接結構包括金屬焊線或金屬導電柱，所述第二電連接結構包括金屬焊線或金屬導電柱。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述重新布線層包括：

布線介電層，位于所述塑封層遠離所述玻璃基板的表面；

金屬疊層結構，位于所述布線介電層內，所述金屬疊層結構包括多層間隔排布的金屬線層及金屬插塞，所述金屬插塞位于相鄰所述金屬線層之間，以將相鄰所述金屬線層電連接。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的半導體封裝結構，其特征在于：所述半導體封裝結構還包括底部填充層，所述底部填充層填充于所述芯片與所述重新布線層之間。

6.一種半導體封裝結構的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面及與所述第一表面相對的第二表面；

于所述玻璃基板內形成第一電連接結構，并于所述玻璃基板的第一表面形成第一天線層，且于所述玻璃基板的第二表面形成第二天線層；所述第一電連接結構自所述玻璃基板的第一表面延伸至所述玻璃基板的第二表面；所述第一天線層與所述第二天線層與所述第一電連接結構電連接；

于所述第二天線層遠離所述玻璃基板的表面形成第二電連接結構；

于所述玻璃基板的第二表面形成塑封層，所述塑封層將所述第二天線層及所述第二電連接結構塑封；

于所述塑封層遠離所述玻璃基板的表面形成重新布線層，所述重新布線層與所述第二電連接結構電連接；

提供芯片，將所述芯片倒裝鍵合于所述重新布線層遠離所述塑封層的表面，且與所述重新布線層電連接；

于所述重新布線層遠離所述塑封層的表面形成焊球凸塊，所述焊球凸塊與所述重新布線層電連接。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝結構的制備方法，其特征在于：于所述玻璃基板的第一表面形成第一天線層，并于所述玻璃基板的第二表面形成第二天線層包括如下步驟：

于所述玻璃基板的第一表面形成第一天線材料層；

對所述第一天線材料層進行刻蝕以得到包括多個間隔排布的第一天線的所述第一天線層，所述第一天線與所述第一電連接結構一一對應電連接；

于所述玻璃基板的第二表面形成第二天線材料層；

對所述第二天線材料層進行刻蝕以得到包括多個間隔排布的第二天線的所述第二天線層，所述第二天線與所述第一電連接結構一一對應電連接。

8.根據權利要求6所述的半導體封裝結構的制備方法，其特征在于：將所述芯片倒裝鍵合于所述重新布線層遠離所述塑封層的表面之后還包括于所述芯片與所述重新布線層之間形成底部填充層的步驟。

9.根據權利要求6至8中任一項所述的半導體封裝結構的制備方法，其特征在于：將若干個所述芯片倒裝鍵合于所述重新布線層遠離所述塑封層的表面，各所述芯片兩側均形成有所述焊球凸塊；于所述重新布線層遠離所述塑封層的表面形成所述焊球凸塊之后還包括將所得結構進行切片處理的步驟，以得到若干個包括單個芯片及若干個所述焊球凸塊的半導體封裝結構。