[發明專利]半導體器件隔離側墻厚度計算方法及其計算系統

有效

• 申請號: 201910476089.1
• 申請日: 2019-06-03
• 公開（公告）號: CN110287547B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 張樂成;祁鵬
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種半導體器件隔離側墻厚度計算方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)計算量產半導體器件產品表面積；

2)將量產半導體器件產品表面積與隔離側墻厚度建立第一線性模型；

3)計算控片頂部隔離側墻和其底部隔離側墻厚度的差值，將量產半導體器件產品表面積與所述差值建立第二線性模型；

4)計算待產半導體器件產品表面積；

5)將待產半導體器件產品表面積代入第一線性模型獲得位于晶舟底部的待產半導體器件產品隔離側墻厚度；

6)將待產半導體器件產品表面積代入第二線性模型獲得位于晶舟底部和頂部待產半導體器件產品隔離側墻厚度差值；

7)將晶舟底部和頂部待產半導體器件產品隔離側墻厚度差值與待產半導體器件產品在晶舟中的位置高度形成第三線性模型；

8)待產半導體前產品在晶舟中的位置高度代入第三線性模型計算出晶舟剩余位置隔離側墻厚度值。

2.如權利要求1所述的半導體器件隔離側墻厚度計算方法，其特征在于：實施步驟1)時，采用以下步驟計算量產半導體器件產品表面積；

A)通過量產半導體器件產品光罩數據計算得到量產半導體器件產品多晶硅線周長；

B)通過量產半導體器件產品單個成像區的大小計算得到硅片上成像區數量；

C)計算得到量產半導體器件產品表面積。

3.如權利要求2所述的半導體器件隔離側墻厚度計算方法，其特征在于：實施步驟C)時，采用以下公式計算量產半導體器件產品表面積；

量產產品表面積＝單個成像區內多晶硅總周長×成像區數量×多晶硅高度+硅片面積。

4.如權利要求1所述的半導體器件隔離側墻厚度計算方法，其特征在于：實施步驟2)時，采用以下方式建立第一線性模型；

將量產半導體器件產品表面積與晶舟底部產品的隔離側墻厚度制作散點圖，通過線性擬合建立第一線性模型。

5.如權利要求1所述的半導體器件隔離側墻厚度計算方法，其特征在于：實施步驟3)時，采用以下方式建立第二線性模型；

將量產半導體器件產品表面積與所述差值制作散點圖，通過線性擬合建立第二線性模型。

6.如權利要求1所述的半導體器件隔離側墻厚度計算方法，其特征在于：實施步驟4)時，采用以下步驟計算待產半導體器件產品表面積；

a)通過待產半導體器件產品光罩計算得到多晶硅線周長；

b)通過待產半導體器件產品單個成像區的大小計算得到硅片上成像區數量；

c)計算得到待產半導體器件產品表面積。

7.如權利要求6所述的半導體器件隔離側墻厚度計算方法，其特征在于：實施步驟c)時，采用以下公式計算待產半導體器件產品表面積；

待產產品表面積＝單個成像區內多晶硅總周長×成像區數量×多晶硅高度+硅片面積。

8.如權利要求1所述的半導體器件隔離側墻厚度計算方法，其特征在于：實施步驟7)時，采用以下方式建立第三線性模型；

將晶舟底部和頂部待產半導體器件產品隔離側墻厚度差值與待產半導體器件產品在晶舟的位置高度制作散點圖，通過線性擬合建立第三線性模型。