[發明專利]陶瓷材料的燒結控制方法在審
| 申請號: | 201910474967.6 | 申請日: | 2019-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN110590381A | 公開(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發明(設計)人: | 林宗立;林致揚;陳龍怡;陳家潔 | 申請(專利權)人: | 睿健邦生醫股份有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/64 | 分類號: | C04B35/64;C04B38/06;C04B38/00 |
| 代理公司: | 11239 北京天平專利商標代理有限公司 | 代理人: | 孫剛 |
| 地址: | 中國臺灣臺北市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;TW |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陶瓷物件 陶瓷材料 孔隙率 粗胚 孔洞 混合致孔劑 含氧環境 燒結生坯 燒結陶瓷 碳基材料 致孔材料 燒結 孔材料 氧環境 孔劑 制備 陶瓷 調控 | ||
本發明提供一種陶瓷材料的燒結控制方法。此方法包含有下列步驟:S1:制備含有一致孔材料的一致孔劑;S2:混合致孔劑與一陶瓷材料并形成一生坯;S3:于一無氧環境中以一第一溫度燒結生坯以形成一陶瓷粗胚;以及S4:于一含氧環境中以一第二溫度燒結陶瓷粗胚以形成一陶瓷物件。其中,第一溫度高于第二溫度。當致孔材料為一碳基材料,第二溫度介于300℃至600℃,且孔隙率可達到30%至70%。藉此方法,陶瓷物件的硬度與致密度被提高,且得以準確調控陶瓷物件的孔隙率以及孔洞的形狀和尺寸。
技術領域
本發明提供一種陶瓷材料的燒結控制方法,尤其是一種多階段式燒結以控制陶瓷材料孔隙率及孔隙尺寸的方法。
背景技術
陶瓷工程是使用無機非金屬材料制造物體的科學技術。近年來,陶瓷材料廣泛的利用在材料工程、電子工程、化學工程以及機械工程中。由于通常陶瓷非常耐熱,可以用于很多金屬和高分子聚合物無法勝任的應用,例如采礦、航天、生醫、精煉、食品和化學工廠、電子行業、工業輸電、以及光波導傳輸等等。
配合不同的產業,陶瓷的規格與特性有不同的需求。在生醫領域中,若要發展人骨的替代植入物,就必須拿捏植入物的孔隙率。孔隙率對植入物和周圍組織之間物理和化學相互作用,具有顯著影響。孔隙率增加了細胞相互作用的可用表面積,例如:影響植入物在植入部位處的機械集成、以及植入物再吸收的速率。優選植入物的孔隙率是復制天然組織。例如:在節段性(segmental)骨缺損中,高度多孔的中心部分(模擬小梁骨)被更強的和更少孔的外殼(模擬皮質骨)包圍,以提供結構支撐。
然而,在陶瓷的燒結過程中,由于溫度影響分子排列的變化,孔隙率會成為一個難以準確控制的因素,影響了燒結物品質的不確定性。若要準確調整孔隙率,業界普遍使用低溫制程,而犧牲了陶瓷材料的機械強度。因此,業界亟需一種新的陶瓷燒結技術,可以準確的控制孔隙率及孔徑尺寸,又能夠以足夠的高溫燒出高強度與高致密度的陶瓷。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于提供一種陶瓷材料的燒結控制方法,其能克服現有技術的缺陷,提高致密性與機械強度,還可避免了高溫燒結后損失的孔隙率。
為實現上述目的,本發明公開了一種陶瓷材料的燒結控制方法,其特征在于包含有下列步驟:
S1:制備含有一致孔材料的一致孔劑;
S2:混合該致孔劑與一陶瓷漿料并形成一生坯;
S3:于一無氧環境中以一第一溫度燒結該生坯以形成一陶瓷粗胚;以及
S4:于一含氧環境中以一第二溫度燒結該陶瓷粗胚以形成一陶瓷物件;
其中,該第二溫度低于該第一溫度。
其中,于步驟S1中,該致孔材料為一碳基材料、一礦石、一鹽、一天然纖維或一高分子聚合物,該碳基材料為碳纖維、奈米碳管、石墨烯或膨脹石墨。
其中,于步驟S1中,該碳基材料的形狀為球形、板形、不規則形、長條形或立方體。
其中,于步驟S1中,該致孔材料的尺寸為50nm至400μm。
其中,于步驟S2中,進一步包含有以下子步驟:
S21:依一預定比例混合該致孔劑與該陶瓷漿料以形成一混合原料;以及
S22:利用積層制造技術列印該混合原料以形成該生坯。
其中,于步驟S21中,該致孔劑占該混合原料的預定比例為10%至50%。
其中,于步驟S3中,進一步包含有以下子步驟:
S31:通入一安定氣體至一預定環境中以形成該無氧環境;以及
S32:于該無氧環境中以第一溫度燒結該生坯以形成該陶瓷粗胚。
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