[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910471565.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-05-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110147018B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-01-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳曉曉;許喜愛(ài);劉冰萍;李作銀;陳國(guó)照 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1362 | 分類號(hào): | G02F1/1362;G02F1/1337;G02F1/1345 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 制作方法 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
襯底基板,具有彩膜基板對(duì)置設(shè)置區(qū)和臺(tái)階區(qū);
配向?qū)樱挥谒霾誓せ鍖?duì)置設(shè)置區(qū);
導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu),包括多層導(dǎo)電膜層,位于所述臺(tái)階區(qū);
至少一個(gè)凹槽結(jié)構(gòu),位于所述臺(tái)階區(qū);
其中,所述凹槽結(jié)構(gòu)至少位于所述導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)與所述臺(tái)階區(qū)邊界之間,所述臺(tái)階區(qū)邊界為所述彩膜基板對(duì)置設(shè)置區(qū)和所述臺(tái)階區(qū)的邊界;
所述導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)的至少一層導(dǎo)電膜層上設(shè)置有一導(dǎo)電襯墊;
所述凹槽結(jié)構(gòu)包括第一凹槽結(jié)構(gòu),所述第一凹槽結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)相毗鄰;
位于所述導(dǎo)電襯墊朝向所述襯底基板一側(cè)且與所述導(dǎo)電襯墊相鄰的所述導(dǎo)電膜層為第一類導(dǎo)電膜層;所述第一類導(dǎo)電膜層與所述導(dǎo)電襯墊形成有臺(tái)階結(jié)構(gòu);所述第一類導(dǎo)電膜層的面積大于所述導(dǎo)電襯墊的面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,包括:所述導(dǎo)電襯墊位于所述導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)的兩相鄰所述導(dǎo)電膜層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,
位于所述導(dǎo)電襯墊背離所述襯底基板一側(cè)且與所述導(dǎo)電襯墊相鄰的所述導(dǎo)電膜層為第二類導(dǎo)電膜層;所述第二類導(dǎo)電膜層與所述第一類導(dǎo)電膜層具有臺(tái)階結(jié)構(gòu);所述第二類導(dǎo)電膜層的面積小于所述第一類導(dǎo)電膜層的面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述導(dǎo)電襯墊包括多個(gè)子導(dǎo)電襯墊,相鄰所述子導(dǎo)電襯墊之間具有第一間隙。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第二類導(dǎo)電膜層包括多個(gè)子導(dǎo)電膜層,相鄰所述子導(dǎo)電膜層之間具有第二間隙;
沿垂直于所述襯底基板所在方向上,所述第二間隙與所述第一間隙對(duì)應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述凹槽結(jié)構(gòu)包括第二凹槽結(jié)構(gòu),沿所述臺(tái)階區(qū)邊界朝向所述導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)的方向,所述第二凹槽結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)之間間隔預(yù)設(shè)距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第二凹槽結(jié)構(gòu)呈U字形,且所述導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)位于所述U字形開(kāi)口內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第二凹槽結(jié)構(gòu)呈封閉環(huán)形,所述導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)位于所述封閉環(huán)形內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述臺(tái)階區(qū)設(shè)置有至少兩個(gè)第二凹槽結(jié)構(gòu)時(shí),沿所述臺(tái)階區(qū)邊界朝向所述導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)的方向,所述至少兩個(gè)第二凹槽結(jié)構(gòu)依次排列。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于,還包括位于所述襯底基板與所述配向?qū)又g的平坦化層;
所述平坦化層位于所述臺(tái)階區(qū)的區(qū)域設(shè)置有挖孔結(jié)構(gòu),所述挖孔結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)一一對(duì)應(yīng),所述導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)所述導(dǎo)電膜層位于所述挖孔結(jié)構(gòu)內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板,其特征在于,沿垂直于所述襯底基板所在平面的方向上,所述第二凹槽結(jié)構(gòu)的深度小于所述平坦化層的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述彩膜基板對(duì)置設(shè)置區(qū)還包括位于所述襯底基板和所述配向?qū)又g的像素結(jié)構(gòu);
所述導(dǎo)電端子結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)電膜層與所述像素結(jié)構(gòu)中的源漏電極層、柵極層、像素電極層以及公共電極層中的至少一層同層設(shè)置。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板,其特征在于,所述彩膜基板對(duì)置設(shè)置區(qū)還包括位于所述襯底基板和所述配向?qū)又g的觸控電極層以及觸控走線層;
所述導(dǎo)電襯墊與所述觸控電極層和/或所述觸控走線層同層設(shè)置。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
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G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





