[發明專利]用于壓力傳感應用的二次成型引線框架組件

有效

• 申請號: 201910471325.0
• 申請日: 2019-05-31
• 公開（公告）號: CN110553760B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 尤恩·H·貝爾;戴維·T·布朗;安德魯·C·赫倫
• 申請（專利權）人: 森薩塔電子技術有限公司
• 主分類號: G01L1/00
• 分類號: G01L1/00;G01L19/00;H01L21/48;H01L23/495
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 林強

1.一種形成用于壓力傳感應用的二次成型引線框架組件的過程，該過程包括：

執行主要二次成型操作，該主要二次成型操作包括：用第一鑄型對引線框架的前側和后側進行二次成型，同時在所述引線框架上的引線鍵合區域的前側和后側兩者處夾合所述引線框架，其中，在所述引線鍵合區域處夾合所述引線框架防止所述引線鍵合區域的前側和后側在所述主要二次成型操作期間被所述第一鑄型覆蓋，并且產生以下項：

電子腔，該電子腔在所述第一鑄型內提供開口，所述開口暴露所述引線鍵合區域的前側，以用于微電子機械系統MEMS壓力傳感元件與所述引線鍵合區域的前側的后續引線鍵合；和

壓力穿孔，該壓力穿孔用于設置所述MEMS壓力傳感元件；以及

執行次要二次成型操作，該次要二次成型操作包括：通過在所述主要二次成型操作期間夾合所述引線鍵合區域的前側和后側，用第二鑄型對所述第一鑄型的后側的一部分和防止被所述第一鑄型覆蓋的所述引線鍵合區域的后側進行二次成型，同時防止在所述次要二次成型操作期間所述壓力穿孔被所述第二鑄型覆蓋。

2.根據權利要求1所述的過程，其中，所述引線框架組件包括附接到所述引線框架的專用集成電路ASIC。

3.根據權利要求1所述的過程，還包括在執行所述次要二次成型操作之前，通過在所述主要二次成型操作期間夾合所述引線鍵合區域的前側和后側，對所述第一鑄型的后側的一部分和防止被所述第一鑄型覆蓋的所述引線鍵合區域的后側執行預調節操作。

4.根據權利要求3所述的過程，其中，所述預調節操作包括等離子處理。

5.根據權利要求4所述的過程，其中，所述等離子處理利用氫氣H₂或氫氣H₂與氧氣O₂的混合物。

6.根據權利要求1所述的過程，其中，所述主要二次成型操作利用熱固性環氧樹脂來形成所述第一鑄型，并且其中，所述次要二次成型操作利用相同的熱固性環氧樹脂來形成所述第二鑄型。

7.根據權利要求1所述的過程，其中，所述主要二次成型操作利用第一熱固性環氧樹脂來形成所述第一鑄型，并且其中，所述次要二次成型操作利用與所述第一熱固性環氧樹脂不同的第二熱固性環氧樹脂來形成所述第二鑄型。

8.根據權利要求1所述的過程，其中，所述主要二次成型操作使得以下項被形成：

頂側腔，該頂側腔從所述電子腔延伸穿過所述第一鑄型到所述引線鍵合區域，該頂側腔為所述MEMS壓力傳感元件與所述引線鍵合區域之間的MEMS引線鍵合部提供電連接路徑；以及

底側腔，該底側腔延伸穿過所述第一鑄型到所述引線框架在所述引線鍵合區域之下的暴露部分。

9.根據權利要求8所述的過程，其中，所述第二鑄型覆蓋所述底側腔，但不覆蓋所述頂側腔。

10.根據權利要求8所述的過程，其中，所述第二鑄型保持所述壓力穿孔。