[發明專利]處理半導體工藝產生的有害特種廢氣的裝置

在審

• 申請號: 201910470143.1
• 申請日: 2019-05-31
• 公開（公告）號: CN112007466A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 汪濤;張新云
• 申請（專利權）人: 東泰高科裝備科技有限公司
• 主分類號: B01D53/00
• 分類號: B01D53/00;C01B3/04;C22B30/04
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種處理半導體工藝產生的有害特種廢氣的裝置，其特征在于，包括加熱裝置(11)、冷卻裝置(12)和除污組件，其中，所述加熱裝置(11)與工業設備的廢氣排出口連接，用于對自所述工業設備的廢氣排出口排入至其中的廢氣進行加熱，并從所述廢氣中加熱分解出氣態污染物；

所述冷卻裝置(12)與所述加熱裝置(11)連接，用于將加熱分解后的所述氣態污染物冷卻凝結至固態污染物；

所述除污組件設置在所述冷卻裝置(12)內，用于去除凝結在所述冷卻裝置(12)上的所述固態污染物。

2.根據權利要求1所述的處理半導體工藝產生的有害特種廢氣的裝置，其特征在于，所述冷卻裝置(12)包括冷卻腔體(121)和冷卻管(122)，所述除污組件包括驅動組件、內磁力件(123)和外磁力件(124)，其中，所述冷卻腔體(121)與所述加熱裝置(11)連接，所述冷卻管(122)設置在所述冷卻腔體(121)中，用于將所述冷卻腔體(121)中的所述氣態污染物冷卻凝結至所述固態污染物；

所述內磁力件(123)設置在所述冷卻管(122)中，并能夠沿所述冷卻管(122)的軸線的方向運動；所述驅動組件與所述內磁力件(123)連接，用于驅動所述內磁力件(123)沿所述冷卻管(122)的軸線的方向運動；

所述外磁力件(124)與所述冷卻管(122)的外周壁相配合的套設在所述冷卻管(122)的外周壁上，并與所述內磁力件(123)相互吸引，以跟隨所述內磁力件(123)沿所述冷卻管(122)的軸線的方向運動，用于去除凝結在所述冷卻管(122)的外周壁上的所述固態污染物。

3.根據權利要求2所述的處理半導體工藝產生的有害特種廢氣的裝置，其特征在于，所述驅動組件包括驅動單元(125)和連接管(1261)，其中，所述連接管(1261)分別與所述內磁力件(123)和驅動單元(125)連接，所述驅動單元(125)用于通過所述連接管(1261)驅動所述內磁力件(123)沿所述冷卻管(122)的軸線的方向運動；

在所述連接管(1261)中設置有貫穿所述連接管(1261)的第一冷卻通道(1263)，并在所述內磁力件(123)中設置有貫穿所述內磁力件(123)的第二冷卻通道(1231)，且所述第二冷卻通道(1231)分別與所述第一冷卻通道(1263)和所述冷卻管(122)的內部連通。

4.根據權利要求3所述的處理半導體工藝產生的有害特種廢氣的裝置，其特征在于，所述冷卻裝置(12)還包括輸入管(127)和排出管(128)，其中，所述輸入管(127)與所述連接管(1261)連接，并與所述第一冷卻通道(1263)連通，用于向所述連接管(1261)中通入冷卻介質，所述排出管(128)與所述冷卻管(122)連接，用于排出所述冷卻管(122)中的所述冷卻介質。

5.根據權利要求4所述的處理半導體工藝產生的有害特種廢氣的裝置，其特征在于，所述冷卻裝置(12)包括多個驅動組、多個冷卻組、多個輸入管(127)、多個排出管(128)和多個轉接管(1262)，其中，每個所述驅動組包括多個所述驅動組件，每個所述冷卻組包括多個所述冷卻管(122)，所述驅動組的數量與所述冷卻組的數量相同，并一一對應設置，且每個所述驅動組中的所述驅動組件的數量與每個所述冷卻組中的所述冷卻管(122)的數量相同，并一一對應設置；

在每個所述驅動組和每個所述冷卻組中，相鄰的所述連接管(1261)和所述冷卻管(122)通過一個所述轉接管(1262)連接；

所述輸入管(127)的數量與所述驅動組的組數相同，每個所述輸入管(127)與每個所述驅動組中的一個所述連接管(1261)連接，所述排出管(128)的數量與所述冷卻組的組數相同，每個所述排出管(128)與每個所述冷卻組中的一個所述冷卻管(122)連接。

6.根據權利要求1-5任意一項所述的處理半導體工藝產生的有害特種廢氣的裝置，其特征在于，還包括收集裝置(13)，所述收集裝置(13)與所述冷卻裝置(12)連接，并位于所述冷卻裝置(12)的下方，用于收集所述冷卻裝置(12)中的所述固態污染物。