[發明專利]一種采用真空離子鍍工藝方法實現鍍層全覆蓋的接地帶

在審

• 申請號: 201910462029.4
• 申請日: 2019-05-30
• 公開（公告）號: CN110144549A
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發明（設計）人: 謝華;侯濤;張照宇;張婷
• 申請（專利權）人: 沈陽富創精密設備有限公司
• 主分類號: C23C14/14
• 分類號: C23C14/14;C23C14/32
• 代理公司: 沈陽優普達知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 21234
• 代理人: 俞魯江

本發明公開一種采用真空離子鍍工藝方法實現鍍層全覆蓋的接地帶，接地帶具有基材，在基材外圍形成擴散層，在擴散層外圍設有鍍膜層。加工方法包括如下步驟：(1)通過真空離子鍍工藝方法在薄片基材表面鍍膜；(2)鍍膜實現薄片基材六面全覆蓋，無裸露；(3)表面鍍膜層與基材之間產生擴散層。實現外表面鍍層全覆蓋薄片基材，并且鍍層與基材之間有一定的擴散層，進一步增加鍍層與基材之間的結合力，延長產品的使用壽命。

技術領域

本發明屬于半導體設備零部件中的接地帶Grounding Strap(GS)片，具體說新型GS片基材表面通過高速離子鍍工藝方法進行表面鍍鋁，此類產品鍍層可以實現全覆蓋基材表面尤其是極薄的四壁，并且鍍層與基材產生厚度不低于5μm的擴散層。

背景技術

近年來，隨著半導體設備的迅猛發展，半導體設備不斷升級，這對半導體設備的零部件的要求越來越高。GS片產品是半導體設備的消耗品，由于客戶端升級，目前技術成熟的產品已經無法同時滿足要求使用溫度要求和壽命要求；采用普通冷噴涂方法鍍層的GS片雖然滿足溫度要求，但由于基材很薄，鍍層無法實現全覆蓋，仍不能滿足使用壽命要求，全新GS片產品亟待開發。

發明內容

針對上述存在的問題，本發明GS片采用真空離子鍍方法實現鍍層全覆蓋，解決現有GS片的四壁裸露，壽命短的問題。

本發明采用的方案是：

一種采用真空離子鍍工藝方法實現鍍層全覆蓋的接地帶，接地帶具有基材，在基材外圍形成擴散層，在擴散層外圍設有鍍膜層。

加工方法包括如下步驟：

(1)通過真空離子鍍工藝方法在薄片基材表面鍍膜；

(2)鍍膜實現薄片基材六面全覆蓋，無裸露；

(3)表面鍍膜層與基材之間產生擴散層。

本發明的有益效果是：

1.基材表層采用真空離子鍍工藝方法鍍鋁，GS片工作溫度可以高達550℃以上，且增強材料的導電性。

2.鋁涂層厚度一般控制在30μm以上，膜厚致密，且外表面實現鍍層全覆蓋，能有效預防材料被腐蝕，進而提高產品使用壽命。

3.采用真空離子鍍工藝方法鍍鋁，促使基材與鍍層產生擴散，增強鍍層結合性，進而提高產品使用壽命。

附圖說明

圖1本實施案例樣品膜厚測量取樣示意圖。

圖2-1本實施案例方向A方向涂層SEM形貌。

圖2-2是圖2-1的局部放大圖。

圖3-1本實施案例樣品B方向涂層SEM形貌。

圖3-2是圖3-1的局部放大圖。

圖4-1本實施案例樣品C方向涂層SEM形貌。

圖4-2是圖4-1的局部放大圖。

圖5-1本實施案例樣品D方向涂層SEM形貌。

圖5-2是圖5-1的局部放大圖。

圖6本實施案例樣品E方向涂層SEM形貌。

圖7-1本實施案例樣品F方向涂層SEM形貌。

圖7-2是圖7-1的局部放大圖。

圖8是鍍膜后接地帶剖視圖。

具體實施方式

下面結合附圖圖1、圖2-1、圖2-2、圖3-1、圖3-2、圖4-1、圖4-2、圖5-1、圖5-2、圖6、圖7-1、圖7-2、圖8和實例對本發明方案進行詳細描述。