[發明專利]一種CF蓋板、其制備方法及其顯示面板在審
| 申請號: | 201910461131.2 | 申請日: | 2019-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN110211997A | 公開(公告)日: | 2019-09-06 |
| 發明(設計)人: | 李文杰 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 遮光層 蓋板 顯示面板 堤壩層 基板層 側部表面 側向入射 間隔設置 結構設置 出光率 金屬層 色阻層 再利用 制備 阻層 吸收 | ||
本發明提供了一種CF蓋板,包括基板層(Substrate)。其中所述基板層上間隔設置遮光層,所述遮光層之間設有色阻層(color filter)。其中所述遮光層上還設置有堤壩層(Bank),其中所述遮光層或是所述堤壩層朝向所述色阻層的側部表面上設置有金屬層。本發明提供了一種CF蓋板,其采用新型的結構設置,使其能夠減少對側向入射光的吸收,反而能對其再利用,從而能夠有效的提升其所在顯示面板的出光率。
技術領域
本發明涉及平面顯示技術領域,尤其是,其中的一種CF蓋板、其制備方法及其顯示面板。
背景技術
已知,有機發光器件OLED(Organic Light Emitting Diode),以其良好的自發光特性、高的對比度、快速響應以及柔性顯示等優勢,現已在業界得到了廣泛的應用。
其中所述OLED實現全彩的方式一般有以下幾種:a、采用紅、綠及藍三種有機發光材料直接發光;b、白色有機發光器件WOLED(white organic light-emitting diode,WOLED)+彩膜蓋板(Colour filter,CF);以及c、光色轉換法-藍色發光層加光色轉換層。其中由于方式b能夠有望實現高像素以及大尺寸顯示器,因此,受到業界較多的關注。
但是,雖然WOLED和其他頂發射顯示器件相比具有相對較高的開口率,但是這類裝置的出光率和可視角度并不理想。因此,為了實現全彩顯示,需要使用彩膜(CF)對OLED所發出的白光進行濾光。
目前OLED中彩膜的設計一般是參照LCD的彩膜結構,而LCD中涉及的彩膜層一般是形成于封裝蓋板上,一般包括黑矩陣(Black Matrix,BM)、RGB三色色阻以及平坦層(Overcoat)。其中的BM層是設置在每一R/G/B色阻的兩端處進行遮光,以解決CF蓋板中各色色阻間的漏光問題。
但是,三色色阻間設置了黑矩陣之后,雖然可以將側向光吸收,解決了其串擾至相鄰色阻中造成漏光的問題;但同時,這部分側向光也會被所述黑矩陣吸收其中的至少一部分光,如此,也就造成了光損失,導致OLED實際出光率降低。
因此,確有必要開發一種新型的CF蓋板,來克服現有技術中的缺陷。
發明內容
本發明的一個方面是提供一種CF蓋板,其采用新型的結構設置,使其能夠減少對側向入射光的吸收,反而能對其再利用,從而能夠有效的提升其所在顯示面板的出光率。
本發明采用的技術方案如下:
一種CF蓋板,包括基板層(Substrate)。其中所述基板層上間隔設置遮光層,所述遮光層之間設有色阻層(color filter)。其中所述遮光層上還設置有堤壩層(Bank),其中所述遮光層或是所述堤壩層朝向所述色阻層的側部表面上設置有金屬層。
進一步的,在不同實施方式中,其中所述堤壩層也可以是其下方設置的所述遮光層的一部分。也就是說,所述堤壩層可以為現有的遮光層中凸出于其一側設置的色阻層的部分。而在本發明中,為了盡可能的不限制本發明的創作構思,現將現有技術中的遮光層凸出于色阻層的部分,單獨列出描述。如此,根據本發明的創作構思,所述遮光層朝向其側部設置的色阻層的側表面上,設置所述金屬反射層,即是指所述堤壩層即是所述遮光層凸出于其側部所述色阻層的部分。
進一步的,在不同實施方式中,其中所述基板層包括玻璃基板層或者柔性襯底層。
進一步的,在不同實施方式中,其中所述遮光層接觸角較小,有一定的親水性。例如,其接觸角角度為小于90度,具體角度可隨需要而定,并無限定。
進一步的,在不同實施方式中,其中所述遮光層采用的材料為黑色有機樹脂材料或者黑色無機材料。其中采用所述黑色有機樹脂材料時,所述遮光層即為BM層。所述黑色無機材料包括金屬氧化物或者硫化物等,具體可以是:氧化銅、氧化鐵、二氧化錳、四氧化三鐵、硫化鉬、硫化銅等等,隨需要而定,并無限定。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





