[發明專利]一種CF蓋板、其制備方法及其顯示面板在審
| 申請號: | 201910461131.2 | 申請日: | 2019-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN110211997A | 公開(公告)日: | 2019-09-06 |
| 發明(設計)人: | 李文杰 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 遮光層 蓋板 顯示面板 堤壩層 基板層 側部表面 側向入射 間隔設置 結構設置 出光率 金屬層 色阻層 再利用 制備 阻層 吸收 | ||
1.一種CF蓋板,包括基板層,其中所述基板層上間隔設置遮光層,所述遮光層之間設有色阻層;其特征在于,其中所述遮光層上還設置有堤壩層;
其中所述遮光層或是所述堤壩層朝向所述色阻層的側部表面上設置有金屬層。
2.根據權利要求1所述的CF蓋板;其特征在于,其中所述金屬層的對于入射光的反射率大于80%。
3.根據權利要求1所述的CF蓋板;其特征在于,其中所述金屬層的厚度范圍為100~2000nm。
4.根據權利要求1所述的CF蓋板;其特征在于,其中所述堤壩層是其下方設置的所述遮光層的一部分。
5.根據權利要求1所述的CF蓋板;其特征在于,其中所述遮光層的厚度范圍為100nm~5um。
6.根據權利要求1所述的CF蓋板;其特征在于,其中所述堤壩層的高度范圍為1~10um。
7.根據權利要求1所述的CF蓋板;其特征在于,其中所述堤壩層采用的材料為含有F元素的有機樹脂材料。
8.一種制備根據權利要求1所述CF蓋板的制備方法;其特征在于,其包括以下步驟:
步驟S1、提供一基板,于所述基板上形成間隔設置的所述遮光層,其中所述相鄰遮光層之間形成有凹槽;
步驟S2、于所述遮光層上形成所述堤壩層;
步驟S3、于所述凹槽內形成所述色阻層;以及
步驟S4、于所述遮光層或是所述堤壩層朝向所述凹槽的側表面上形成所述金屬層。
9.根據權利要求8所述的制備方法;其特征在于,其中在所述步驟S1中,其還包括對所述基板的表面進行親水處理。
10.一種顯示面板;其特征在于,其包括根據權利要求1所述的CF蓋板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





