[發明專利]一種溝槽結構結勢壘肖特基二極管在審
| 申請號： | 201910459140.8 | 申請日： | 2019-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN110212022A | 公開（公告）日： | 2019-09-06 |
| 發明（設計）人： | 張玉明;宋慶文;湯曉燕;袁昊;張藝蒙;范鑫;何曉寧 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 張捷 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽結構 結勢壘肖特基二極管 外延層 相鄰溝槽 減小 反向漏電流 隔離介質層 上表面中心 陽極電極層 陰極電極層 導通電阻 襯底層 上表面 正向 保證 | ||
1.一種溝槽結構結勢壘肖特基二極管，其特征在于，自上而下依次包括陽極電極層(1)、隔離介質層(2)、N-外延層(3)、N+襯底層(4)和陰極電極層(5)，其中，
在所述N-外延層(3)的上表面開設有多個溝槽結構(6)，在所述溝槽結構的內部形成有P型離子注入區(7)；
相鄰所述溝槽結構(6)的間距從所述N-外延層(3)的上表面中心至邊緣呈減小趨勢，且多個所述P型離子注入區(7)的形狀尺寸均相同。
2.根據權利要求1所述的溝槽結構結勢壘肖特基二極管，其特征在于，多個所述溝槽結構(6)均為同心的環形結構。
3.根據權利要求1所述的溝槽結構結勢壘肖特基二極管，其特征在于，多個所述溝槽結構(6)均為矩形，并且在所述N-外延層(3)的上表面分布成陣列結構。
4.根據權利要求1所述的溝槽結構結勢壘肖特基二極管，其特征在于，相鄰所述溝槽結構(6)的間距從所述N-外延層(3)的上表面中心至邊緣以連續方式減小。
5.根據權利要求1所述的溝槽結構結勢壘肖特基二極管，其特征在于，相鄰所述溝槽結構(6)的間距從所述N-外延層(3)的上表面中心至邊緣以階梯方式減小。
6.根據權利要求1所述的溝槽結構結勢壘肖特基二極管，其特征在于，
所述N-外延層(3)與所述陽極電極層(1)之間形成第一肖特基接觸區(8)，每個所述P型離子注入區(7)與所述陽極電極層(1)之間形成第二肖特基接觸區(9)。
7.根據權利要求1所述的溝槽結構結勢壘肖特基二極管，其特征在于，在所述溝槽結構(6)的底部和內壁上均形成有所述P型離子注入區(7)。
8.根據權利要求1所述的溝槽結構結勢壘肖特基二極管，其特征在于，
所述多個溝槽結構(6)的槽深均相同。
9.根據權利要求1-8中任一項所述的溝槽結構結勢壘肖特基二極管，其特征在于，相鄰所述溝槽結構(6)的間距大于等于3μm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安電子科技大學，未經西安電子科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910459140.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
