[發明專利]微電極膜片的制備方法

在審

• 申請號: 201910458492.1
• 申請日: 2019-05-29
• 公開（公告）號: CN110143569A
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發明（設計）人: 李凡;陳江博
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;A61B5/04;A61N1/04
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張天舒

1.一種微電極膜片的制備方法，其特征在于，包括：

在臨時基底上形成至少一個凹槽；

在所述凹槽中形成微電極植晶；

利用所述微電極植晶在所述凹槽中生長形成微電極；

使第一基底與所述臨時基底具有所述凹槽的一側接觸；

使所述微電極和所述臨時基底分離，以將所述微電極轉移至所述第一基底上。

2.根據權利要求1所述的微電極膜片的制備方法，其特征在于，所述臨時基底為硅基底，所述微電極植晶包括摻硼金剛石，所述第一基底包括聚酰亞胺。

3.根據權利要求1所述的微電極膜片的制備方法，其特征在于，所述在臨時基底上形成至少一個凹槽，包括：

通過構圖工藝在所述臨時基底上形成第一刻蝕阻擋層，所述第一刻蝕阻擋上的開口對應預定形成所述凹槽的位置；

用刻蝕液對所述臨時基底進行刻蝕，以在所述臨時基底上形成所述凹槽。

4.根據權利要求3所述的微電極膜片的制備方法，其特征在于，所述用刻蝕液對所述臨時基底刻蝕進行刻蝕，包括：對所述臨時基底進行各向同性刻蝕。

5.根據權利要求4所述的微電極膜片的制備方法，其特征在于，所述對所述臨時基底進行各向同性刻蝕，包括：將所述臨時基底置于所述刻蝕液中，且在所述臨時基底刻蝕過程中攪拌所述刻蝕液。

6.根據權利要求3所述的微電極膜片的制備方法，其特征在于，所述開口為圓形。

7.根據權利要求1所述的微電極膜片的制備方法，其特征在于，所述在所述凹槽中形成微電極植晶，包括：

在所述臨時基底上具有所述凹槽的一側形成微電極植晶層，將所述微電極植晶層上位于所述凹槽之外的微電極植晶刻蝕掉。

8.根據權利要求1所述的微電極膜片的制備方法，其特征在于，在所述利用所述微電極植晶在所述凹槽中生長形成微電極和所述使第一基底與所述臨時基底具有所述凹槽的一側接觸之間，還包括：

采用構圖工藝，在所述臨時基底上形成至少一條與所述微電極相連的引線；

使所述微電極和所述臨時基底分離，以將所述微電極轉移至所述第一基底上中，還包括：

使所述引線和所述臨時基底分離，以將所述引線轉移至所述第一基底上。

9.根據權利要求8所述的微電極膜片的制備方法，其特征在于，每個所述微電極與一條所述引線對應相連。

10.根據權利要求8所述的微電極膜片的制備方法，其特征在于，所述引線的厚度為10μm至50μm；

所述引線的寬度為20μm至100μm。

11.根據權利要求1所述的微電極膜片的制備方法，其特征在于，在使所述微電極和所述臨時基底分離，以將所述微電極轉移至所述第一基底上之后，還包括：

在所述第一基底具有微電極的一側形成第二基底，所述第二基底上形成有供所述微電極穿過的通孔。

12.根據權利要求1所述的微電極膜片的制備方法，其特征在于，所述在臨時基底上形成至少一個凹槽包括：在所述臨時基底上形成多個陣列排布的所述凹槽。