[發明專利]一種結型勢壘肖特基二極管在審
| 申請號： | 201910458045.6 | 申請日： | 2019-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN110098264A | 公開（公告）日： | 2019-08-06 |
| 發明（設計）人： | 張玉明;宋慶文;湯曉燕;袁昊;張藝蒙;范鑫 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 張捷 |
| 地址： | 710071*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延層 肖特基二極管 結型 勢壘 頂層金屬層 隔離介質層 上表面 正向導通電阻 底層金屬層 反向漏電流 依次設置 有效抑制 襯底層 電遷移 環繞 退化 保證 | ||
1.一種結型勢壘肖特基二極管，其特征在于，包括從下至上依次設置的底層金屬層(1)、N+襯底層(2)和N-外延層(3)，其中，
所述N-外延層(3)上設置有隔離介質層(4)和頂層金屬層(5)，所述隔離介質層(4)環繞在所述N-外延層(3)上表面的四周，所述頂層金屬層(5)設置在所述N-外延層(3)和所述隔離介質層(4)的上表面；
所述N-外延層(3)的上表面設置有若干個P型離子注入區(6)，所述P型離子注入區(6)與所述頂層金屬層(5)接觸，相鄰所述P型離子注入區(6)之間的間距從所述結型勢壘肖特基二極管的邊緣到中心呈增大趨勢。
2.根據權利要求1所述的結型勢壘肖特基二極管，其特征在于，
所述N+襯底層(2)與所述底層金屬層(1)的接觸區為歐姆接觸區(7)；
所述N-外延層(3)與所述頂層金屬層(5)的接觸區為N型肖特基接觸區(8)；
所述P型離子注入區(6)與所述頂層金屬層(5)的第一接觸區(9)為P型肖特基接觸或歐姆接觸。
3.根據權利要求1所述的結型勢壘肖特基二極管，其特征在于，相鄰所述P型離子注入區(6)之間的間距從所述結型勢壘肖特基二極管的邊緣到中心連續增大。
4.根據權利要求1所述的結型勢壘肖特基二極管，其特征在于，相鄰所述P型離子注入區(6)之間的間距從所述結型勢壘肖特基二極管的邊緣到中心呈階梯狀增大。
5.根據權利要求1所述的結型勢壘肖特基二極管，其特征在于，每個所述P型離子注入區(6)的結構尺寸均相等。
6.根據權利要求1所述的結型勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述P型離子注入區(6)的深度≤2μm。
7.根據權利要求1所述的結型勢壘肖特基二極管，其特征在于，相鄰所述P型離子注入區(6)之間的間距≥2μm。
8.根據權利要求1所述的結型勢壘肖特基二極管，其特征在于，所述P型離子注入區(6)的俯視形狀為環狀或者矩形形狀。
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