[發(fā)明專利]一種紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu)及制作方法及其電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910457839.0 | 申請日: | 2019-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN110137275B | 公開(公告)日: | 2021-06-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李俊杰;傅劍宇;高建峰;周娜;王桂磊;李永亮;楊濤;李俊峰;王文武 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 紅外 吸收 薄膜 結(jié)構(gòu) 制作方法 及其 電子設(shè)備 | ||
1.一種紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
紅外吸收敏感材料;
鈍化和紅外吸收層,形成在所述紅外吸收敏感材料上方;
金屬層,形成在所述鈍化層和所述紅外吸收層上方,其中,所述金屬層表面為納米針狀結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu),其特征在于,所述紅外吸收敏感材料為氧化釩或非晶硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu),其特征在于,所述鈍化和紅外吸收層可以為一層結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu),其特征在于,所述鈍化和紅外吸收層可以為二層結(jié)構(gòu),具體為設(shè)置在所述紅外吸收敏感材料上方的紅外吸收層,以及設(shè)置在所述紅外吸收層上方鈍化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu),其特征在于,所述金屬層材料為Mo、W或Ti其中的一種或由它們組成的合金材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu),其特征在于,所述金屬層的厚度為1nm至1000nm。
7.一種紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu)的制造方法,包括:
提供紅外吸收敏感材料;
在所述紅外吸收敏感材料上方形成鈍化和紅外吸收層;
在所述鈍化和紅外吸收層上方形成金屬層;
等離子體刻蝕所述金屬層表面,使所述金屬層表面產(chǎn)生局部微觀損傷;
使用溶液處理所述金屬層表面,使所述金屬層表面形成納米針狀結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,使用常溫磁控濺射或ALD方法形成所述金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述金屬層的厚度在1nm至1000nm范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,使用含高O2/F比的氣體進(jìn)行等離子刻蝕所述金屬層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述高O2/F比的氣體為O2/SF6,其中,SF6占總氣體流量比的3%至50%。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述溶液包括由稀釋的硫酸、雙氧水、氫氟酸三種溶液混合形成的混合溶液。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述混合溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%至10%。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述混合溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%,其中,所述硫酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%,所述雙氧水質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%,所述氫氟酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%。
15.一種紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
紅外吸收敏感材料;
所述鈍化和紅外吸收層為二層結(jié)構(gòu),具體為設(shè)置在所述紅外吸收敏感材料上方的紅外吸收層,以及設(shè)置在所述紅外吸收層上方鈍化層;其中,所述鈍化和紅外吸收層表面為納米針狀結(jié)構(gòu);
所述鈍化和紅外吸收層表面的納米針狀結(jié)構(gòu)由以下制造方法制備得到:在鈍化和紅外吸收層表面形成金屬層,以金屬層為掩膜,刻蝕所述鈍化和紅外吸收層表面形成納米針狀結(jié)構(gòu)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的紅外吸收薄膜結(jié)構(gòu),其特征在于,所述紅外吸收敏感材料為氧化釩或非晶硅。
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