[發明專利]三維多孔結構復合體材料及制備方法、陣列基板有效
| 申請號: | 201910456905.2 | 申請日: | 2019-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN110190070B | 公開(公告)日: | 2021-11-02 |
| 發明(設計)人: | 吳豪旭 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 三維 多孔 結構 復合體 材料 制備 方法 陣列 | ||
本發明披露一種三維多孔結構復合體材料及制備方法、陣列基板。所述陣列基板中的金屬電極層均采用低反射且具有三維多孔結構復合體材料,從而能夠加強對可見光源的吸收,并且降低其反射率,以進一步提高對比度和觀賞視覺效果。
技術領域
本發明涉及液晶顯示技術領域,尤其涉及一種三維多孔結構復合體材料及其制備方法、采用該材料的陣列基板。
背景技術
在液晶顯示面板中,隨著高世代TFT-LCD的發展,面板朝著大型化、高畫質、高分辨率演變。當液晶顯示面板的尺寸越來越大時,設置于其上的金屬布線數量級長度均有著大幅增加。為了增加顯示面板的視覺和外觀效果,提出并發展窄邊框,甚至無邊框技術,但是該種設計與陣列基板側出光朝外(即采用底發射型結構的陣列基板)的設計一樣,需面對邊緣漏光、對比度降低等不良問題。如圖1A和圖1B所示,當采用底發射型結構的陣列基板時,其金屬柵極111(Gate)布線主要材質為Cu/Mo、Cu/MoNd、Cu/MoTi和Cu/Ti等強反射的金屬材料,其金屬部分的反射率很高。一般在金屬電極的發射率在可見光400~700nm的平均反射率大于40%,強烈的反光嚴重影響人眼觀賞的效果。另外,作為數據線的金屬走線如圖1B所示的標號112。
目前已有開發低反射金屬膜層113作為阻擋層,如圖1C所示,以降低反射率,或者對金屬層表面進行粗化處理進而降低其反射率,但是效果不佳。另外,通過貼敷一張1/4λ波長的偏光片(或低反射膜等)來減少金屬反射,但是采用該制備方式會增加生產工藝成本。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種三維多孔結構復合體材料及其制備方法、采用該材料的陣列基板。所述陣列基板中的金屬電極層均采用低反射且具有三維多孔結構復合體材料,從而能夠加強對可見光源的吸收,并且降低其反射率,以進一步提高對比度和觀賞視覺效果。
根據本發明的一方面,提供了一種三維多孔結構復合體材料,所述復合體材料包括:一石墨烯骨架和填充于所述石墨烯骨架的黑色金屬氧化物顆粒,所述石墨烯骨架具有三維多孔結構,所述復合體材料用于對可見光源的吸收,并且降低其反射率。
在本發明的一實施例中,所述復合體材料還包括黑色金屬氧化物的摻雜化合物。
在本發明的一實施例中,所述黑色金屬氧化物為氧化鉬。
在本發明的一實施例中,所述摻雜化合物為含釹的氧化鉬、含鈦的氧化鉬、含鋁的氧化鉬中的至少一種。
在本發明的一實施例中,所述顆粒的粒徑為10納米~100納米。
本發明提供一種三維多孔結構復合體材料的制備方法,所述制備方法包括以下步驟:(1)將氧化石墨烯和聚苯乙烯材料分別溶解于去離子水中;(2)將聚苯乙烯溶液滴入氧化石墨烯溶液中,并進行超聲攪拌及真空抽濾處理,以獲得聚苯乙烯/氧化石墨烯薄膜;(3)將所述聚苯乙烯/氧化石墨烯薄膜進行加熱處理,以獲得三維多孔石墨烯結構;(4)將三維多孔石墨烯結構溶于去離子水中,以形成石墨烯溶液;(5)將黑色金屬氧化物或其摻雜化合物的顆粒與所述石墨烯溶液進行混合處理,以進一步獲得具有三維多孔結構的復合體材料。
在本發明的一實施例中,在步驟(5)中,進一步包括:在進行混合處理的過程中,加入聚乙烯醇作為所述黑色金屬氧化物或其摻雜化合物的顆粒與所述石墨烯溶液的粘結劑。
在本發明的一實施例中,在步驟(5)之中,進一步包括步驟:在進行混合處理的過程中,加入作為消泡劑的乙二醇。
在本發明的一實施例中,在步驟(5)之中,進一步包括步驟:在進行混合處理的過程中,通過分散劑獲得一前驅體漿料混合物;以及在獲得所述前驅體漿料混合物之后通過處理。獲得具有三維多孔結構的復合體材料。
在本發明的一實施例中,所述分散劑為0.05%的聚乙烯酰胺或聚丙烯酸為主體的分散劑。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





