[發明專利]三維多孔結構復合體材料及制備方法、陣列基板

有效

• 申請號: 201910456905.2
• 申請日: 2019-05-29
• 公開（公告）號: CN110190070B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發明（設計）人: 吳豪旭
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種三維多孔結構復合體材料，其特征在于，所述復合體材料包括：一石墨烯骨架和填充于所述石墨烯骨架的黑色金屬氧化物顆粒，所述石墨烯骨架具有三維多孔結構，所述復合體材料用于對可見光源的吸收，并且降低其反射率；所述復合體材料包括黑色金屬氧化物的摻雜化合物；所述摻雜化合物為含釹的氧化鉬、含鈦的氧化鉬、含鋁的氧化鉬中的至少一種；所述摻雜化合物用以加強對可見光源的吸收，以降低反射率。

2.根據權利要求1所述的三維多孔結構復合體材料，其特征在于，所述黑色金屬氧化物為氧化鉬。

3.根據權利要求1所述的三維多孔結構復合體材料，其特征在于，所述顆粒的粒徑為10納米～100納米。

4.一種三維多孔結構復合體材料的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

(1)將氧化石墨烯和聚苯乙烯材料分別溶解于去離子水中；

(2)將聚苯乙烯溶液滴入氧化石墨烯溶液中，并進行處理以獲得聚苯乙烯/氧化石墨烯薄膜；

(3)將所述聚苯乙烯/氧化石墨烯薄膜進行加熱處理，以獲得三維多孔石墨烯結構；

(4)將三維多孔石墨烯結構溶于去離子水中，以形成石墨烯溶液；以及

(5)將黑色金屬氧化物或其摻雜化合物的顆粒與所述石墨烯溶液進行混合處理，以進一步獲得具有三維多孔結構的復合體材料；所述摻雜化合物為含釹的氧化鉬、含鈦的氧化鉬、含鋁的氧化鉬中的至少一種。

5.根據權利要求4所述三維多孔結構復合體材料的制備方法，其特征在于，在步驟(5)中，進一步包括：在進行混合處理的過程中，加入聚乙烯醇作為所述黑色金屬氧化物或其摻雜化合物的顆粒與所述石墨烯溶液的粘結劑。

6.根據權利要求4所述三維多孔結構復合體材料的制備方法，其特征在于，在步驟(5)之中，進一步包括步驟：在進行混合處理的過程中，加入作為消泡劑的乙二醇。

7.根據權利要求4所述三維多孔結構復合體材料的制備方法，其特征在于，在步驟(5)之中，進一步包括步驟：在進行混合處理的過程中，通過分散劑獲得一前驅體漿料混合物；以及在獲得所述前驅體漿料混合物之后通過處理， 獲得具有三維多孔結構的復合體材料。

8.根據權利要求7所述三維多孔結構復合體材料的制備方法，其特征在于，所述分散劑為0.05％的聚乙烯酰胺或聚丙烯酸為主體的分散劑。

9.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：一設置于一襯底基板上的金屬電極層；所述金屬電極層的材料為權利要求1至權利要求3中任一所述的三維多孔結構復合體材料。