[發(fā)明專利]一種晶圓級芯片封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910455965.2 | 申請日: | 2019-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN110335825A | 公開(公告)日: | 2019-10-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鐘志明;汪洋;趙亞東;方梁洪;劉明明;劉鳳 | 申請(專利權(quán))人: | 寧波芯健半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;賈允 |
| 地址: | 315336 浙江省寧波市杭*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 焊墊 晶圓 芯片封裝 分布區(qū) 種晶 焊點 研磨 芯片 保護層 邊緣區(qū) 減薄 開口 異常發(fā)生率 表面形成 工藝處理 晶圓中心 切割刀片 電連接 厚度差 無焊點 劃片 減小 破損 切割 環(huán)繞 暴露 | ||
本發(fā)明涉及一種晶圓級芯片封裝方法,所述方法包括:提供晶圓,所述晶圓一側(cè)的表面包括芯片分布區(qū)和環(huán)繞所述芯片分布區(qū)的邊緣區(qū);在所述芯片分布區(qū)和所述邊緣區(qū)分別形成多個焊墊;在所述晶圓有焊墊一側(cè)的表面以及所述焊墊的表面形成保護層,所述保護層內(nèi)形成有暴露所述焊墊的開口;在所述開口內(nèi)形成焊點,所述焊點與所述焊墊電連接;對所述晶圓無焊點一側(cè)的表面進行研磨減薄,以對減薄后的所述晶圓進行切割。實施本發(fā)明的一種晶圓級芯片封裝方法,可以減小研磨工藝處理后晶圓中心與邊緣的厚度差,從而降低劃片過程中切割刀片破損的異常發(fā)生率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片封測領(lǐng)域,特別涉及一種晶圓級芯片封裝方法。
背景技術(shù)
智能電子設(shè)備的普及推動著晶圓級芯片封裝技術(shù)的快速發(fā)展。目前,晶圓級芯片封裝技術(shù)已廣泛應(yīng)用于閃速存儲器、EEPROM、高速DRAM、SRAM、LCD驅(qū)動器、射頻器件、邏輯器件、電源/電池管理器件和模擬器件(穩(wěn)壓器、溫度傳感器、控制器、運算放大器、功率放大器)等智能芯片封裝領(lǐng)域。隨著芯片封裝技術(shù)的發(fā)展,越來越多的廠商選擇先植球后研磨工藝,以應(yīng)對研磨后翹曲對植球工序的影響。
對于常規(guī)的晶圓級芯片封裝,在植球時,一般只在晶圓的芯片分布區(qū)域進行焊點布局,而在晶圓的修邊邊緣區(qū)域留有空白。但在對晶圓無焊點一側(cè)的表面進行研磨減薄時,由于焊點對晶圓具有支撐作用,因此沒有焊點支撐的修邊邊緣區(qū)域會比有焊點的芯片分布區(qū)域偏厚,并且對于焊點較高的晶圓而言,這種厚度差更加明顯,而這種厚度差在后續(xù)劃片過程中,易增加切割刀片破損的異常發(fā)生率。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的上述問題,本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓級芯片封裝方法,通過合理的焊點布局,以減小研磨工藝處理后晶圓中心與邊緣的厚度差,從而降低劃片過程中切割刀片破損的異常發(fā)生率。
本發(fā)明提供一種晶圓級芯片封裝方法,所述方法包括:提供晶圓,所述晶圓一側(cè)的表面包括芯片分布區(qū)和環(huán)繞所述芯片分布區(qū)的邊緣區(qū);在所述芯片分布區(qū)和所述邊緣區(qū)分別形成多個焊墊;在所述晶圓有焊墊一側(cè)的表面以及所述焊墊的表面形成保護層,所述保護層內(nèi)形成有暴露所述焊墊的開口;在所述開口內(nèi)形成焊點,所述焊點與所述焊墊電連接;對所述晶圓無焊點一側(cè)的表面進行研磨減薄,以對減薄后的所述晶圓進行切割。
進一步地,所述芯片分布區(qū)和所述邊緣區(qū)的邊界至所述晶圓的邊緣的距離為2.5-3mm。
進一步地,多個所述焊墊均勻分布于所述邊緣區(qū)。
進一步地,所述邊緣區(qū)的焊墊的排布與所述芯片分布區(qū)的焊墊的排布一致。
進一步地,在所述芯片分布區(qū)和所述邊緣區(qū)分別形成多個焊墊之前,所述方法還包括:在所述晶圓的邊緣區(qū)形成金屬種子層。
進一步地,所述焊點的頂端為弧面或平面。
進一步地,所述焊點的截面形狀至少包括如下之一:圓形、橢圓形和多邊形。
進一步地,所述焊點的厚度為11-95μm。
進一步地,所述焊墊的厚度為0.1-0.5μm。
進一步地,所述焊墊及焊點的材質(zhì)為具有導(dǎo)電性能的金屬或金屬合金。
由于上述技術(shù)方案,本發(fā)明具有如下有益效果:
通過在所述晶圓的所述邊緣區(qū)設(shè)計無功能的焊墊和焊點,減小了研磨后晶圓的芯片分布區(qū)和邊緣區(qū)的厚度差,從而降低了劃片過程中因晶圓厚度差導(dǎo)致的切割刀片破損的異常發(fā)生率。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹。顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它附圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





