[發明專利]一種晶圓級芯片封裝方法在審
| 申請號： | 201910455965.2 | 申請日： | 2019-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN110335825A | 公開（公告）日： | 2019-10-15 |
| 發明（設計）人： | 鐘志明;汪洋;趙亞東;方梁洪;劉明明;劉鳳 | 申請（專利權）人： | 寧波芯健半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫;賈允 |
| 地址： | 315336 浙江省寧波市杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 焊墊 晶圓 芯片封裝 分布區 種晶 焊點 研磨 芯片 保護層 邊緣區 減薄 開口 異常發生率 表面形成 工藝處理 晶圓中心 切割刀片 電連接 厚度差 無焊點 劃片 減小 破損 切割 環繞 暴露 | ||
1.一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，所述方法包括：
提供晶圓(1)，所述晶圓(1)一側的表面包括芯片分布區(11)和環繞所述芯片分布區(11)的邊緣區(12)；
在所述芯片分布區(11)和所述邊緣區(12)分別形成多個焊墊；
在所述晶圓(1)有焊墊一側的表面以及所述焊墊的表面形成保護層，所述保護層內形成有暴露所述焊墊的開口；
在所述開口內形成焊點(13)，所述焊點(13)與所述焊墊電連接；
對所述晶圓(1)無焊點一側的表面進行研磨減薄，以對減薄后的所述晶圓(1)進行切割。
2.根據權利要求1所述的一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，所述芯片分布區(11)和所述邊緣區(12)的邊界至所述晶圓(1)的邊緣的距離為2.5-3mm。
3.根據權利要求1所述的一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，多個所述焊墊均勻分布于所述邊緣區(12)。
4.根據權利要求1所述的一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，所述邊緣區(12)的焊墊的排布與所述芯片分布區(11)的焊墊的排布一致。
5.根據權利要求1所述的一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，在所述芯片分布區(11)和所述邊緣區(12)分別形成多個焊墊之前，所述方法還包括：
在所述晶圓(1)的邊緣區(12)形成金屬種子層。
6.根據權利要求1所述的一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，所述焊點(13)的頂端為弧面或平面。
7.根據權利要求1所述的一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，所述焊點(13)的截面形狀至少包括如下之一：
圓形、橢圓形和多邊形。
8.根據權利要求1所述的一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，所述焊點(13)的厚度為11-95μm。
9.根據權利要求1所述的一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，所述焊墊的厚度為0.1-0.5μm。
10.根據權利要求1所述的一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，所述焊墊及焊點(13)的材質為具有導電性能的金屬或金屬合金。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
