[發明專利]互連結構、半導體封裝及其制造方法

在審

• 申請號: 201910449814.6
• 申請日: 2019-05-28
• 公開（公告）號: CN111696955A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發明（設計）人: 呂文隆
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種互連結構，其包括：

第一電介質層；以及

第二電介質層，其安置于所述第一電介質層上，所述第二電介質層具有均面朝所述第一電介質層的第一表面和第二表面，

其中所述第二電介質層的所述第一表面從所述第二電介質層的所述第二表面凹入且限定凹口，且

所述第一電介質層的一部分安置于所述凹口內。

2.根據權利要求1所述的互連結構，其進一步包括安置于所述第二電介質層的所述第一表面上且在所述凹口內的金屬層。

3.根據權利要求2所述的互連結構，其中所述金屬層從所述第二電介質層的所述第二表面凹入。

4.根據權利要求2所述的互連結構，其中所述第一電介質層具有面朝所述第二電介質層的所述第一表面且接觸所述金屬層的第一表面，以及面朝所述第二電介質層的所述第二表面的第二表面。

5.根據權利要求4所述的互連結構，其中所述第一電介質層的所述第一表面從所述第一電介質層的所述第二表面突出。

6.根據權利要求2所述的互連結構，其進一步包括接觸所述金屬層的導電通孔，其中所述導電通孔由所述第一電介質層包圍。

7.根據權利要求2所述的互連結構，其中所述第一電介質層的所述第二表面和所述第二電介質層的所述第一表面之間的距離大于所述金屬層的厚度。

8.根據權利要求1所述的互連結構，其中所述第一電介質層的熱膨脹系數CTE大于所述第二電介質層的CTE。

9.根據權利要求1所述的互連結構，其中所述第一電介質層的模量大于所述第二電介質層的模量。

10.根據權利要求1所述的互連結構，其中所述第一電介質層包含聚丙烯，且所述第二電介質層包含聚酰胺。

11.一種半導體封裝，其包括：

第一互連層，其具有第一導電層和至少部分覆蓋所述第一導電層的第一電介質層；以及

第二互連層，其具有第二導電層和至少部分覆蓋所述第二導電層的第二電介質層，

其中所述第一互連層至少部分由所述第二互連層包圍，且

所述第一電介質層的材料不同于所述第二電介質層的材料。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝，其中所述第二電介質層的CTE大于所述第一電介質層的CTE。

13.根據權利要求11所述的半導體封裝，其中所述第二電介質層的模量大于所述第一電介質層的模量。

14.根據權利要求11所述的半導體封裝，其中所述第一導電層的間距小于所述第二導電層的間距。

15.根據權利要求11所述的半導體封裝，其中所述第一導電層的間距等于或小于7μm。

16.根據權利要求11所述的半導體封裝，其中所述第二電介質層包含聚丙烯，且所述第一電介質層包含聚酰胺。

17.根據權利要求11所述的半導體封裝，其中所述第一互連層和所述第二互連層之間的界面包含第一表面和第二表面，所述界面的所述第一表面和所述第二表面是不連續的。

18.根據權利要求17所述的半導體封裝，其中所述界面的所述第一表面和所述第二表面彼此平行。