[發明專利]存儲器元件及其制作方法

有效

• 申請號: 201910448466.0
• 申請日: 2019-05-27
• 公開（公告）號: CN111564449B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 賴二琨;龍翔瀾
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H10B43/40
• 分類號: H10B43/40;H10B43/27
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種存儲器元件，包括：

多個導電條帶堆疊結構，每一該多個導電條帶堆疊結構包括多個中間階層導電條帶，配置來作為多條字線，一上方階層導電條帶，配置來作為至少一串列選擇線；

多個第一圖案化導體，位于該多個導電條帶堆疊結構上方；以及

多個鏈接單元，該多個鏈接單元中的多個鏈接單元包括多個開關，以響應位于該上方階層導電條帶中的多個信號，并將位于該多個中間階層導電條帶中多個導電條帶，連接到該多個第一圖案化導體中的多個第一圖案化導體。

2.根據權利要求1所述的存儲器元件，其中該多個鏈接單元中的該多個開關是多個垂直通道晶體管。

3.根據權利要求2所述的存儲器元件，其中該多個垂直通道晶體管具有多個N型摻雜通道。

4.根據權利要求1所述的存儲器元件，其中該上方階層導電條帶中的該多個導電條帶與該多個鏈接單元中的該多個開關彼此交叉。

5.根據權利要求1所述的存儲器元件，其中該多個中間階層導電條帶中的該多個導電條帶，在該存儲器元件的一階梯結構區中提供多個落著區。

6.根據權利要求5所述的存儲器元件，其中該多個鏈接單元中的該多個鏈接單元，還包括位于該多個開關下方的多個第一導體和位于該多個開關上方的多個第二導體；該多個第一導體將該階梯結構區中的該多個落著區連接到該多個開關，該多個第二導體將該多個開關連接到該多個第一圖案化導體。

7.根據權利要求1所述的存儲器元件，其中每一該多個導電條帶堆疊結構更包括一底部階層導電條帶，配置來作為至少一接地選擇線；且該多個鏈接單元中的該多個鏈接單元將該底部階層導電條帶中的多個導電條帶連接到位于該多個導電條帶堆疊結構上方的多個第二圖案化導體。

8.根據權利要求1所述的存儲器元件，更包括：

多個垂直通道結構，與該多個導電條帶堆疊結構正交排列，該多個垂直通道結構中的每一者，包括多個存儲單元，位于該多個導電條帶堆疊結構的多個側表面與該多個垂直通道結構的多個交叉點上的多個界面區上；以及

多個位線導體，位于該上方階層導電條帶上方的一階層中，該多個垂直通道結構中的每一者，位于該多個位線導體之一的下方；

其中，該上方階層導電條帶中的每一個導電條帶與該多個垂直通道結構中的多個彼此不同的垂直通道結構子集交叉。

9.根據權利要求1所述的存儲器元件，其中該多個第一圖案化導體連接到一字線譯碼器。

10.一種存儲器元件的制作方法，包括：

形成多個導電條帶堆疊結構，使每一該多個導電條帶堆疊結構包括多個中間階層導電條帶，配置來作為多條字線，一上方階層導電條帶，配置來作為至少一串列選擇線；

形成多個第一圖案化導體，位于該多個導電條帶堆疊結構上方；以及

形成多個鏈接單元，使該多個鏈接單元中的多個鏈接單元，將位于該多個中間階層導電條帶中的多個導電條帶，連接到該多個第一圖案化導體中的多個第一圖案化導體，且包括多個開關，以響應位于該上方階層導電條帶中多個導電條帶中的多個信號。