[發明專利]太陽能電池的P-N結制作工藝

在審

• 申請號: 201910439997.3
• 申請日: 2019-05-24
• 公開（公告）號: CN110265293A
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發明（設計）人: 邢顯邦;朱彥斌
• 申請（專利權）人: 江蘇潤陽悅達光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明屬于晶硅太陽能電池制造領域，尤其涉及一種太陽能電池的P?N結制作工藝，該方法為利用管式高溫擴散退火爐制作的P?N結，利用一定的溫度變化和低溫在氧氣的作用下，使得近表面的氧沉淀得到溢出，本發明能降低P?N結在光照條件下，空穴電子復合的幾率，再通過在氧氣的條件小進行P原子再分布處理，降低了P原子最高濃度分布的峰值，減少甚至消除了反勢場對Voc的影響，從而達到提高效率的目的，通過溫度和時間的匹配，得到適合目前產線最佳的P?N結深度。

技術領域

本發明屬于晶硅太陽能電池制造領域，尤其涉及一種太陽能電池的P-N結制作工藝。

背景技術

晶硅太陽能電池是一種可以將太陽光能轉化成為電能的電子元器件。晶體硅類太陽能電池的制備一般經過制絨、擴散、鍍膜、絲網印刷、燒結等工序。制絨分為單晶、多晶制絨，單晶電池是使用堿制絨的方法在硅片表面形成金字塔絨面，多晶電池使用酸刻蝕的方法在硅片表面形成凹坑絨面，硅表面的絨面可以增加太陽光在電池表面的吸收，達到陷光作用；擴散工序是通過熱擴散的方式向硅片內部形成P-N結，這樣當有光照射時，硅片內部就可以形成電壓，是太陽電池發電的基礎；鍍膜工藝是為了減少少數載流子在電池表面的復合，可以提高晶體硅太陽能電池片的轉換效率；絲網印刷工序就是制作太陽能電池的電極，這樣當光照射時就可以把電流導出。絲網印刷是現在晶硅電池制備中應用最廣泛的一種工藝，工藝順序為先進行背面電極印刷和烘干，然后進行鋁背場的印刷和烘干，最后進行正面電極的印刷、烘干，再進行燒結，讓制備電極使用的銀漿和電池形成接觸。

目前，在一般擴散工藝過程中，形成的P原子分布基本存在一個由低到高的濃度分布，形成一個反勢場，降低了光伏電池的Voc，此外，現有技術的PN結區及附近存在氧沉淀，且近表面存在反勢場分布等缺點，從而降低了光伏電池的轉化效率。

發明內容

本發明的目的是解決上述現有技術的不足，提供一種提高光伏電池轉換效率的太陽能電池的P-N結制作工藝。

本發明解決上述現有技術的不足所采用的技術方案是：一種太陽能電池的P-N結制作工藝，用于太陽能電池的擴散工藝，該方法包括以下步驟：

步驟（1）升溫：溫度750±20℃，氧氣900±100slm；

步驟（2）沉積：溫度750±20℃，P：165±30slm；

步驟（3）升溫：溫度780±20℃，P：165±30slm；

步驟（4）升溫：溫度860±20℃；

步驟（5）降溫：溫度810±20℃；

步驟（6）恒溫：溫度810±20℃；

步驟（7）降溫：常壓狀態下，溫度600±20℃，氧氣3000slm；

步驟（8）恒溫：常壓狀態下，溫度600±20℃，氧氣3000slm。

相較于現有技術，本發明的太陽能電池的P-N結制作工藝，利用管式高溫擴散退火爐制作的P-N結，利用一定的溫度變化和低溫在氧氣的作用下，使得近表面的氧沉淀得到溢出，使得及表面得到一個潔凈的區域，降低P-N結在光照條件下，空穴電子復合的幾率，再通過在氧氣的條件小進行P原子再分布處理，降低了P原子最高濃度分布的峰值，減少甚至消除了反勢場對Voc的影響，從而達到提高效率的目的，通過溫度和時間的匹配，得到適合目前產線最佳的P-N結深度。

具體實施方式

以下描述用于揭露本發明以使本領域技術人員能夠實現本發明。以下描述中的優選實施例只作為舉例，本領域技術人員可以想到其他顯而易見的變型。在以下描述中界定的本發明的基本原理可以應用于其他實施方案、變形方案、改進方案、等同方案以及沒有背離本發明的精神和范圍的其他技術方案。