[發(fā)明專利]太陽能電池的P-N結(jié)制作工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910439997.3 | 申請日： | 2019-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN110265293A | 公開（公告）日： | 2019-09-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 邢顯邦;朱彥斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇潤陽悅達(dá)光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/22 | 分類號： | H01L21/22;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 224000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽能電池 制作工藝 氧氣 晶硅太陽能電池 高溫?cái)U(kuò)散 光照條件 空穴電子 近表面 退火爐 氧沉淀 再分布 產(chǎn)線 管式 勢場 溢出 匹配 復(fù)合 制作 制造 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種太陽能電池的P-N結(jié)制作工藝，用于太陽能電池的擴(kuò)散工藝，其特征在于，該方法包括以下步驟：
步驟（1）升溫：溫度750±20℃，氧氣900±100slm；
步驟（2）沉積：溫度750±20℃，P：165±30slm；
步驟（3）升溫：溫度780±20℃，P：165±30slm；
步驟（4）升溫：溫度860±20℃；
步驟（5）降溫：溫度810±20℃；
步驟（6）恒溫：溫度810±20℃；
步驟（7）降溫：常壓狀態(tài)下，溫度600±20℃，氧氣3000slm；
步驟（8）恒溫：常壓狀態(tài)下，溫度600±20℃，氧氣3000slm。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇潤陽悅達(dá)光伏科技有限公司，未經(jīng)江蘇潤陽悅達(dá)光伏科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910439997.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
