[發明專利]切割芯片接合薄膜在審
| 申請號： | 201910434535.2 | 申請日： | 2019-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN110527443A | 公開（公告）日： | 2019-12-03 |
| 發明（設計）人： | 木村雄大;高本尚英;大西謙司;宍戶雄一郎 | 申請（專利權）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | C09J7/24 | 分類號： | C09J7/24;C09J133/08;C09J11/04;H01L21/67;H01L21/78 |
| 代理公司： | 11277 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 劉新宇;李茂家<國際申請>=<國際公布> |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 粘接劑層 粘合 拉伸儲能模量 芯片接合薄膜 規定條件 粘合劑層 切割帶 切割 層疊結構 環形框 可剝離 框構件 貼合性 基材 密合 割斷 | ||
1.一種切割芯片接合薄膜，其具備：
切割帶，其具有包含基材和粘合劑層的層疊結構；以及，
粘合粘接劑層，其與所述切割帶中的所述粘合劑層可剝離地密合，
所述粘合粘接劑層針對寬度10mm且厚度160μm的粘合粘接劑層試樣片以初始卡盤間距22.5mm、頻率1Hz、動態應變0.005％和升溫速度10℃/分鐘的條件測定的、25℃下的拉伸儲能模量為5～120MPa，并且，
所述粘合粘接劑層針對寬度5mm且厚度80μm的粘合粘接劑層試樣片以初始卡盤間距10mm、頻率900Hz、動態應變0.005％和升溫速度5℃/分鐘的條件測定的、-15℃下的拉伸儲能模量為3000～6000MPa。
2.根據權利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接劑層的外周端在薄膜面內方向距所述粘合劑層的外周端的距離為1000μm以內。
3.根據權利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接劑層相對于SUS平面的-15℃下的剪切粘合力為66N/cm2以上。
4.根據權利要求2所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接劑層相對于SUS平面的-15℃下的剪切粘合力為66N/cm2以上。
5.根據權利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合劑層為輻射線固化型粘合劑層，
在以23℃和剝離速度300mm/分鐘的條件進行的T型剝離試驗中，輻射線固化前的所述粘合劑層與所述粘合粘接劑層之間的剝離力為0.5N/20mm以上。
6.根據權利要求1所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接劑層具有7～30μm的厚度。
7.根據權利要求1～6中的任一項所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接劑層含有重均分子量為800000～2000000且玻璃化轉變溫度為-10～3℃的聚合物成分。
8.根據權利要求7所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述聚合物成分包含源自丙烯腈的結構單元。
9.根據權利要求1～6中的任一項所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接劑層以10～40質量％的比率含有二氧化硅填料。
10.根據權利要求7所述的切割芯片接合薄膜，其中，
所述粘合粘接劑層以10～40質量％的比率含有二氧化硅填料。
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