[發明專利]切割芯片接合薄膜

在審

• 申請號: 201910434535.2
• 申請日: 2019-05-23
• 公開（公告）號: CN110527443A
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 木村雄大;高本尚英;大西謙司;宍戶雄一郎
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/24
• 分類號: C09J7/24;C09J133/08;C09J11/04;H01L21/67;H01L21/78
• 代理公司: 11277 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 劉新宇;李茂家<國際申請>=<國際公布>

本發明提供一種切割芯片接合薄膜，其具備適合于確保擴展工序中的割斷性并實現對環形框等框構件的良好的貼合性的粘合粘接劑層。本發明的切割芯片接合薄膜X具備切割帶(10)和粘合粘接劑層(20)。切割帶(10)具有包含基材(11)和粘合劑層(12)的層疊結構。粘合粘接劑層(20)與粘合劑層(12)可剝離地密合。粘合粘接劑層(20)針對寬度10mm且厚度160μm的粘合粘接劑層試樣片以規定條件測定的25℃下的拉伸儲能模量為5～120MPa。并且，粘合粘接劑層(20)針對寬度5mm且厚度80μm的粘合粘接劑層試樣片以規定條件測定的?15℃下的拉伸儲能模量為3000～6000MPa。

技術領域

本發明涉及能夠在半導體裝置的制造過程中使用的切割芯片接合薄膜。

背景技術

在半導體裝置的制造過程中，為了獲得帶有尺寸與芯片接合用芯片相當的粘接薄膜的半導體芯片、即帶芯片接合薄膜的半導體芯片，有時使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有與作為加工對象的半導體晶圓相應的尺寸，例如具有由基材和粘合劑層構成的切割帶、以及在其粘合劑層側可剝離地密合的芯片接合薄膜(粘接劑層)。

作為使用切割芯片接合薄膜而得到帶芯片接合薄膜的半導體芯片的方法之一，已知有歷經用于將切割芯片接合薄膜中的切割帶擴展并割斷芯片接合薄膜的工序的方法。在該方法中，首先，使半導體晶圓貼合在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上。該半導體晶圓以例如之后與芯片接合薄膜一同被割斷從而能夠單片化成多個半導體芯片的方式進行了加工。接著，為了將該芯片接合薄膜割斷而使得由切割帶上的芯片接合薄膜生成分別密合于半導體芯片的多個芯片接合薄膜小片，使用擴展裝置使切割芯片接合薄膜的切割帶擴展。在該擴展工序中，在與芯片接合薄膜中的割斷部位相當的部位處，芯片接合薄膜上的半導體晶圓也發生割斷，在切割芯片接合薄膜和/或切割帶上，半導體晶圓被單片化為多個半導體芯片。接著，針對切割帶上的割斷后的多個帶芯片接合薄膜的半導體芯片，為了擴寬隔開的距離而再次進行擴展工序。接著，在例如歷經清洗工序后，各半導體芯片同與它們所密合的芯片尺寸相當的芯片接合薄膜一起，被拾取機構的頂針構件自切割帶的下側頂起，在此基礎上自切割帶上被拾取。如此，可得到帶有芯片接合薄膜的半導體芯片。該帶芯片接合薄膜的半導體芯片夾著該芯片接合薄膜通過芯片接合而被固定于安裝基板等被粘物。例如，針對以如上方式使用的切割芯片接合薄膜的相關技術，例如在下述專利文獻1～3中有所記載。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2007-2173號公報

專利文獻2：日本特開2010-177401號公報

專利文獻3：日本特開2012-23161號公報

發明內容

發明要解決的問題

圖15是通過其截面示意圖來表示以往類型的切割芯片接合薄膜Y的一例。切割芯片接合薄膜Y由切割帶60和芯片接合薄膜70構成。切割帶60采用基材61與用于發揮粘合力的粘合劑層62的層疊結構。芯片接合薄膜70依靠粘合劑層62的粘合力而密合于粘合劑層62。這樣的切割芯片接合薄膜Y具有與半導體裝置的制造過程中的加工對象和/或作為工件的半導體晶圓相對應尺寸的圓盤形狀，可在上述擴展工序中使用。例如，如圖16所示，可在半導體晶圓81貼合于芯片接合薄膜70、且環形框82貼附于粘合劑層62的狀態下實施上述擴展工序。半導體晶圓81可以進行加工而使得例如能夠單片化成多個半導體芯片。