[發(fā)明專利]一種制備金-硫化銀-磷酸鉛異質(zhì)結(jié)納米薄膜的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910431722.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-05-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110176389B | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘宏程;李向葵;陳雯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 桂林理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L31/0336;B82Y10/00;B82Y15/00;B82Y30/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 制備 硫化 磷酸 鉛異質(zhì)結(jié) 納米 薄膜 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種制備金?硫化銀?磷酸鉛異質(zhì)結(jié)納米薄膜的方法。其方法步驟:先利用循環(huán)伏安法將PbS沉積在電極表面,然后將電極置于Ag2S的生長液中,于于60℃恒溫水浴鍋中反應(yīng)24h后,電極表面即可同時(shí)生長出Ag2S?Pb3(PO4)2異質(zhì)結(jié)納米薄膜。隨后將Ag2S?Pb3(PO4)2異質(zhì)結(jié)納米薄膜置于置于HAuCl4的溶液中,于60℃恒溫水浴鍋中反應(yīng)6h,電極表面即可生成Au?Ag2S?Pb3(PO4)2異質(zhì)結(jié)納米薄膜。本發(fā)明方法成本制備過程簡(jiǎn)單,且制得的Au?Ag2S?Pb3(PO4)2異質(zhì)結(jié)納米薄膜附著力強(qiáng),薄膜中金具有納米尺寸,具有一定的生物分析應(yīng)用價(jià)值。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明納米薄膜材料領(lǐng)域及電化學(xué)領(lǐng)域,特別涉及一種制備Au-Ag2S-Pb3(PO4)2異質(zhì)結(jié)納米薄膜的方法。
背景技術(shù)
“異質(zhì)結(jié)”是指兩種或兩種以上半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體材料和納米技術(shù)的結(jié)合越來越密切,納米異質(zhì)結(jié)具有納米材料的表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)、宏觀量子隧道效應(yīng)和介電限域效應(yīng)等性質(zhì),與傳統(tǒng)固體材料相比具有很多優(yōu)點(diǎn)。
Ag2S是一種n型質(zhì)結(jié)禁帶半導(dǎo)體材料,Ag2S具有良好的光電和熱電效應(yīng),因而被廣泛地應(yīng)用于發(fā)光材料、紅外光譜檢測(cè)器和光纖維通訊等領(lǐng)域。Au納米材料具有生物親和性和相容性好的特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于生物傳感領(lǐng)域,然而傳統(tǒng)的Au納米材料制備條件較為苛刻,合成過程繁瑣,因而尋找簡(jiǎn)便快捷的Au納米材料合成方法有助于生物分析領(lǐng)域的研究進(jìn)展。同時(shí),將Ag2S和Au納米材料相結(jié)合的復(fù)合材料,不僅能保留半導(dǎo)體的優(yōu)異光電性能,還能提升材料的生物分析性能,擴(kuò)大異質(zhì)結(jié)材料的應(yīng)用范圍。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種制備Au-Ag2S-Pb3(PO4)2異質(zhì)結(jié)納米薄膜的方法。
具體步驟為:
(1)將事先裁好的ITO導(dǎo)電玻璃電極,分別經(jīng)由分析純丙酮、分析純乙醇和二次水超聲清洗5min,干燥后用萬能表測(cè)出導(dǎo)電面待用。
(2)依次量取1mL濃度為0.2mol/L Pb(NO3)2、1mL濃度為0.2mol/L EDTA、3.5mL濃度為0.3mol/L Na2S2O3和4mL濃度為1.25mol/L Na2SO4溶液置于20mL燒杯中均勻混合,制得電沉積PbS薄膜的底液。
(3)在步驟(2)中制得的電沉積PbS薄膜的底液中建立三電極體系,其中,工作電極為步驟(1)中制得的導(dǎo)電玻璃電極,對(duì)電極為Pt電極,參比電極為Ag/AgCl電極,用循環(huán)伏安法進(jìn)行電沉積,電位掃描范圍為-1.0V~0V,掃描速度為0.05V/s,掃描段數(shù)為40~120。電沉積結(jié)束后,將電極取出并用二次水沖洗干凈,空氣烘干后即可得到PbS薄膜。
(4)將步驟(3)制得的PbS薄膜置于250℃管式爐,氮?dú)夥諊屑訜?h,待管式爐等卻后將PbS薄膜取出。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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