[發明專利]半導體器件制備方法及半導體器件在審
| 申請號： | 201910431035.3 | 申請日： | 2019-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN111987040A | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發明（設計）人： | 周耀輝;秦仁剛;孫曉峰;文浩宇 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 吳平;鄧云鵬 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制備 方法 | ||
1.一種半導體器件制備方法，其特征在于，包括：
提供襯底，并在所述襯底上依次形成緩沖氧化層和氮化硅掩膜；
圖形化所述氮化硅掩膜和所述緩沖氧化層，形成刻蝕窗口，通過所述刻蝕窗口刻蝕所述襯底，形成溝槽；
在所述溝槽的內壁形成隔離氧化層并在所述隔離氧化層上形成隔離氮化硅層，所述隔離氮化硅層未填滿所述溝槽；
向所述溝槽內填入犧牲層，所述犧牲層填滿所述溝槽；
對所述犧牲層進行回刻，刻蝕掉部分所述犧牲層，使所述犧牲層的高度低于所述襯底的上表面以暴露部分所述隔離氮化硅層，并對所述隔離氮化硅層進行刻蝕；
去除剩余的所述犧牲層，并形成覆蓋所述氮化硅掩膜和填滿所述溝槽的介質氧化層；
對所述介質氧化層進行研磨并停止于所述氮化硅掩膜；
去除所述氮化硅掩膜和所述緩沖氧化層，且不暴露所述隔離氮化硅層；
在所述襯底表面形成柵氧層，并在所述柵氧層上形成多晶硅層。
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述犧牲層為有機抗反射涂層。
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，被刻蝕后的所述隔離氮化硅層的頂端距所述襯底上表面的垂直距離為
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，對所述犧牲層進行回刻具體是通過干法刻蝕對所述犧牲層進行回刻。
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述隔離氧化層的厚度范圍為所述隔離氮化硅層的厚度范圍為
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底表面形成柵氧層具體為通過熱氧化工藝在所述襯底表面形成柵氧層。
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法采用0.153μm線寬工藝。
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在形成所述多晶硅層后，對所述柵氧層進行經時擊穿測試。
9.一種半導體器件，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底開設有溝槽；
隔離氧化層，形成于所述溝槽的內壁；
隔離氮化硅層，形成于所述隔離氧化層上且未填滿所述溝槽，所述隔離氮化硅層的頂端低于所述襯底的上表面；
介質氧化層，填充所述溝槽并覆蓋所述隔離氮化硅層；
柵氧層，形成于所述襯底的表面；
多晶硅層，形成于所述柵氧層上。
10.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述隔離氮化硅層的頂端距離所述襯底上表面的垂直距離為
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
