[發明專利]濕法處理裝置及晶圓濕法處理方法

在審

• 申請號: 201910426709.0
• 申請日: 2019-05-22
• 公開（公告）號: CN110164795A
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: 劉璞方;高英哲;張文福;李丹
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;H01L21/306
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 史治法

本發明提供一種濕法處理裝置及晶圓濕法處理方法，濕法處理裝置包括：晶圓承載臺，用于承載晶圓；噴嘴，位于晶圓承載臺的一側上方，用于向晶圓的表面噴射處理液；驅動裝置，與噴嘴相連接，用于驅動噴嘴沿豎直方向及水平方向兩個方向中的至少一個方向移動，以確保噴嘴將處理液噴射至晶圓的中心。本發明的濕法處理裝置通過增設驅動裝置，可以根據噴嘴噴射處理液的流量調整噴嘴距離晶圓的中心的距離，可以在任意處理液流量的情況下確保噴嘴將處理液噴射至晶圓的中心，從而確保處理液對晶圓的清洗或刻蝕效果，進而提高產品的良率。

技術領域

本發明屬于微電子機械系統技術領域，特別是涉及一種濕法處理裝置及晶圓濕法處理方法。

背景技術

在晶圓制造的濕法工藝中，單片式清洗設備由于其優異的清洗效果得到廣泛應用，晶圓在晶圓承載臺的帶動下旋轉，當藥液(包括化學液或去離子水)噴射至在高速旋轉的晶圓表面后，在離心力的作用下藥液和雜質一起被甩離晶圓表面，達到清洗或刻蝕晶圓表面的目的。

在現有的濕法制程中，對于藥液流量的使用和控制有既定的嚴格標準，但目前半導體工藝仍處于不斷發展和完善的過程中，以單片多晶硅片清洗機為了，其配置的去離子水噴嘴的位置固定，按照既定的流量(即既定的流速)可以使得去離子水準確噴射在晶圓的中心以達到最為理想的雜質清洗效果。然而，若制程需求不同的流速大小時，則此位置固定的去離子水噴嘴噴射到晶圓表面的去離子水的位置會發生偏移，即去離子水噴嘴噴射的去離子水無法準確噴射到晶圓的中心。

由于晶圓處于旋轉狀態，隨著自晶圓的中心向外半徑的增大，離心力隨之增大，只有當噴嘴將藥液噴射到晶圓的中心時才能達到最佳的清洗或刻蝕效果；若藥液噴射到晶圓表面的位置偏離晶圓的中心，則會降低藥液清洗或刻蝕的均勻性，會造成雜質的殘留及刻蝕不均，從而影響清洗或刻蝕的效果，進而影響產品的良率。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種濕法處理裝置及晶圓濕法處理方法，用于解決現有技術中的濕法處理設備中的藥液噴嘴相較于位于晶圓承載臺表面的晶圓中心的位置固定無法調節，無法滿足不同制程工藝中向晶圓的中心噴射藥液的要求，當藥液的流量發生變化時藥液噴射到晶圓表面的位置會偏離晶圓的中心，從而降低藥液清洗或刻蝕的均勻性，造成造成雜質的殘留及刻蝕不均，影響清洗或刻蝕的效果，進而影響產品的良率的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種濕法處理裝置，所述濕法處理裝置包括：

晶圓承載臺，用于承載晶圓；

噴嘴，位于所述晶圓承載臺的一側上方，用于向所述晶圓的表面噴射處理液；

驅動裝置，與所述噴嘴相連接，用于驅動所述噴嘴沿豎直方向及水平方向兩個方向中的至少一個方向移動，以確保所述噴嘴將所述處理液噴射至所述晶圓的中心。

可選地，所述濕法處理裝置還包括噴嘴固定臺，所述噴嘴設置于所述噴嘴固定臺上，所述驅動裝置與所述噴嘴固定臺相連接。

可選地，所述噴嘴包括去離子水噴嘴及化學液噴嘴中的至少一者。

可選地，所述濕法處理裝置還包括：

基座，位于所述晶圓承載臺的下方，用于設置所述晶圓承載臺；

若干個定位銷，位于所述晶圓承載臺的邊緣，且沿所述晶圓承載臺的周向間隔排布；所述定位銷用于固定所述晶圓；

旋轉驅動裝置，與所述晶圓承載臺相連接，用于驅動所述晶圓承載臺帶動所述晶圓旋轉。

可選地，所述噴嘴與供液管路相連接，所述濕法處理裝置還包括流量計，所述流量計設置于所述供液管路上，用于偵測所述噴嘴噴射的所述處理液的流速。

可選地，所述驅動裝置驅動所述噴嘴沿豎直方向運動，所述驅動裝置包括：