[發明專利]基于FLASH工藝的FPGA芯片參數測試方法及設備

有效

• 申請號: 201910414363.2
• 申請日: 2019-05-17
• 公開（公告）號: CN110231559B
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發明（設計）人: 張曉羽
• 申請（專利權）人: 航天科工防御技術研究試驗中心
• 主分類號: G01R31/3185
• 分類號: G01R31/3185;G01R31/317
• 代理公司: 北京風雅頌專利代理有限公司 11403
• 代理人: 李弘

1.基于FLASH工藝的FPGA芯片參數測試方法，其特征在于，包括：

獲取源文件；

對所述源文件進行轉換生成標準文件報文；

建立所述標準文件報文與芯片的可操作單元的對應關系；

獲取編程操作指令；

對操作窗口進行檢測，判斷所述對應關系是否正確建立；

若是，則載入預設測試指令，調整核電源電壓參數以及端口電源電壓參數為初始狀態；

獲取測試報文；

讀取所述測試報文；

當所述測試報文為編程操作報文且包含典型端口電壓操作時，根據所述對應關系設置測試周期參數、調整所述核電源電壓以及所述端口電源電壓、設置電平電壓以及電平電流、調整所述測試指令，得到測試數據；

當所述測試報文為編程操作報文且包含最小端口電壓操作時，根據所述對應關系設置測試周期參數、調整所述核電源電壓以及所述端口電源電壓、設置電平電壓以及電平電流、調整所述測試指令、調整負載電流，得到測試數據；

當所述測試報文為編程操作報文且包含最大端口電壓操作時，根據所述對應關系設置測試周期參數、調整所述核電源電壓以及所述端口電源電壓、設置電平電壓以及電平電流、調整所述測試指令、調整管腳電平，得到測試數據；

當所述測試報文為擦除操作報文時，根據所述對應關系設置測試周期參數、調整所述核電源電壓以及所述端口電源電壓、調整所述測試指令、調整采樣點位以及時間，得到測試數據；

判斷所述測試數據是否落入預設閾值之內。

2.根據權利要求1所述的基于FLASH工藝的FPGA芯片參數測試方法，其特征在于，所述獲取源文件，具體包括：

獲取所述芯片的型號類型，根據所述型號類型獲取所述可操作單元的配置信息；

獲取與所述配置信息對應的所述源文件；

對所述源文件進行查錯檢查。

3.根據權利要求1所述的基于FLASH工藝的FPGA芯片參數測試方法，其特征在于，所述對所述源文件進行轉換生成標準文件報文，具體包括：

對所述源文件進行設計描述轉換生成標準門陣列報文，同時獲得約束報文；

對所述標準門陣列報文進行優化生成所述標準文件報文；

對所述標準文件報文進行查錯檢查。

4.根據權利要求3所述的基于FLASH工藝的FPGA芯片參數測試方法，其特征在于，所述建立所述標準文件報文與芯片的可操作單元的對應關系，具體包括：

根據所述源文件建立傳輸通道；

利用所述傳輸通道將所述標準文件報文以及所述約束報文導入所述可操作單元；

建立所述對應關系，并根據所述約束報文分配時鐘單元。