[發明專利]一種陣列基板、其制備方法及顯示面板

有效

• 申請號: 201910412086.1
• 申請日: 2019-05-17
• 公開（公告）號: CN110112146B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 方金鋼;丁錄科;劉軍;周斌;成軍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發明涉及顯示技術領域，公開一種陣列基板、其制備方法及顯示面板，陣列基板包括：陣列基板包括襯底，其中：襯底與電容區相對的部位設有用于形成薄膜晶體管的柵極、有源層、源漏極；源漏極與襯底之間形成有至少兩層介質層，其中至少一層介質層與電容區相對的部分的厚度大于與RGB顯示區相對的部分的厚度；源漏極背離襯底一側依次設有鈍化層和平坦化層，鈍化層和平坦化層與電容區相對的部分的厚度大于與RGB顯示區相對的部分的厚度。上述陣列基板，通過使介質層與電容區相對的部位的厚度大于與RGB顯示區相對的部位的厚度，可避免在制作陽極與源漏極連接的過孔時，光刻膠曝光時間過長或者平坦化層被損傷的情況。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板、其制備方法及顯示面板。

背景技術

近些年，自發光器件正得到迅猛發展，OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)因其容易實現高色域、高對比度和柔性顯示，正受到和面板廠商的青睞；microLED(micro Light-Emitting Diode，微發光二極管)作為下一代最受歡迎的顯示技術，各廠家也在加緊研發。

對于OLED和microLed類型的自發光器件，因其自發光特性，常容易被制成底發射面板，即發光器件發出的光穿過陣列基板發出，以顯示畫面信息。

但是，由于底發射顯示面板中，通常將色阻層設置于陣列基板中的鈍化層背離襯底的一側，導致鈍化層表面的平坦化層較厚，在平坦化層背離襯底的一側形成陽極時，陽極通過貫穿鈍化層和平坦化層的過孔與源極連接。

過厚的平坦化層容易導致以下問題，在平坦化層和鈍化層形成供陽極穿過的過孔時，較為費力，例如，當使用光刻、刻蝕形成過孔時，光刻膠需要加厚，曝光時間加長，浪費光刻膠，但若光刻膠厚度不夠，在過孔打通時，光刻膠已被損耗完，導致平坦化層表面粗糙，最終影響其上的陽極發生晶化，陽極功函數發生變化，發光層也會變形，最終導致顯示面板發光質量差。

發明內容

本發明公開了一種陣列基板、其制備方法及顯示面板，用于緩解因底發射結構導致的平坦化層較厚，并最終導致成本過高或者影響顯示面板發光質量的技術問題。

為達到上述目的，本發明提供以下技術方案：

一種陣列基板，包括：所述陣列基板包括電容區和顯示區，所述顯示區包括RGB顯示區，所述陣列基板包括襯底，其中：

所述襯底與所述電容區相對的部位設有用于形成薄膜晶體管的柵極、有源層、源漏極；

所述源漏極與所述襯底之間形成有至少兩層介質層，其中至少一層所述介質層與所述電容區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；

源漏極背離所述襯底一側依次設有鈍化層和平坦化層，所述鈍化層和平坦化層與所述電容區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；

在與所述RGB顯示區的部分，所述鈍化層背離所述襯底的一側設有RGB色阻。

在上述陣列基板中，在與RGB顯示區的部分，鈍化層背離所述襯底的一側設有RGB色阻，導致平坦化層過厚，而源漏極與襯底之間形成有至少兩層介質層，這些介質層如有源層、層間介質層和柵絕緣層等，至少一層介質層與電容區相對的部分的厚度大于與RGB顯示區相對的部分的厚度，導致源漏極更加遠離襯底，也就更加靠近平坦化層背離襯底的側面，因此，述鈍化層和平坦化層與所述電容區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度，進而，當采用光刻、刻蝕等方法在平坦化層和鈍化層形成用于使平坦化層表面的陽極與源極連接的過孔時，所需穿過的距離就縮短，只需在平坦化層表面沉積較薄的光刻膠即可完成過孔刻蝕，即不會延長曝光時間，浪費光刻膠，也不會導致平坦化層損傷影響發光質量。

優選地，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管；其中，