[發明專利]一種陣列基板、其制備方法及顯示面板

有效

• 申請號: 201910412086.1
• 申請日: 2019-05-17
• 公開（公告）號: CN110112146B
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 方金鋼;丁錄科;劉軍;周斌;成軍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：所述陣列基板包括電容區和顯示區，所述顯示區包括RGB顯示區，所述陣列基板包括襯底，其中：

所述襯底與所述電容區相對的部位設有用于形成薄膜晶體管的柵極、有源層、源漏極；

所述源漏極與所述襯底之間形成有至少兩層介質層，其中至少一層所述介質層與所述電容區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；

源漏極背離所述襯底一側依次設有鈍化層和平坦化層，所述鈍化層和平坦化層與所述電容區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；

在與所述RGB顯示區的部分，所述鈍化層背離所述襯底的一側設有RGB色阻；

所述顯示區還包括W顯示區，鈍化層與所述W顯示區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；

和/或，至少一層所述介質層與所述W顯示區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管；其中，

其中一層所述介質層包括形成于所述襯底上的緩沖層，所述緩沖層與所述電容區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；和/或，其中一層所述介質層包括位于所述柵極與所述有源層之間的柵絕緣層，所述柵絕緣層與所述電容區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；和/或，

其中一層所述介質層包括位于所述源漏極和所述有源層之間的層間介質層，所述層間介質層與所述電容區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管；其中，

其中一層所述介質層包括形成于所述襯底上的緩沖層，所述緩沖層與所述電容區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；

和/或，其中一層所述介質層包括位于所述柵極與所述有源層之間的柵絕緣層，所述柵絕緣層與所述電容區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管；其中，

所述介質層包括形成于所述襯底上的緩沖層，所述緩沖層與所述W顯示區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；和/或，

所述介質層包括位于所述有源層與所述柵極之間的柵絕緣層，所述柵絕緣層與所述W顯示區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；和/或，

所述介質層包括位于所述源漏極和所述有源層之間的層間介質層，所述層間介質層與所述W顯示區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管；其中，

所述介質層包括形成于所述襯底上的緩沖層，所述緩沖層與所述W顯示區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；和/或，

底柵結構TFT沒有緩沖層，介質層有柵絕緣層、刻蝕阻擋層、鈍化層

所述介質層包括位于所述有源層與所述柵極之間的柵絕緣層，所述柵絕緣層與所述W顯示區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度。

6.一種權利要求1-5任一項所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：在襯底與電容區相對的部位形成用于形成薄膜晶體管的柵極、有源層、源漏極；

其中，所述源漏極與所述襯底之間形成有至少兩層介質層，至少一層所述介質層與所述電容區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；

源漏極背離所述襯底一側依次形成鈍化層和平坦化層，其中，所述鈍化層和平坦化層與所述電容區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；

在與所述RGB顯示區的部分，所述鈍化層背離所述襯底的一側設有RGB色阻；

所述顯示區還包括W顯示區，鈍化層與所述W顯示區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度；

和/或，至少一層所述介質層與所述W顯示區相對的部分的厚度大于與所述RGB顯示區相對的部分的厚度。