[發明專利]晶體管器件及其制造方法、顯示基板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201910410880.2
• 申請日: 2019-05-16
• 公開（公告）號: CN110098201A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 宮奎;李立;孫偉;張玉虎;余雷;王宏偉;徐茹
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

本申請公開了一種晶體管器件及其制造方法、顯示基板、顯示裝置，屬于半導體技術領域。晶體管器件(01)包括：襯底基板(011)，以及位于襯底基板(011)上的第一晶體管(012)和第二晶體管(013)。第一晶體管(012)包括第一有源層(0121)，第二晶體管(013)包括第二柵極(0132)，第一有源層(0121)與第二柵極(0132)位于同層。本申請簡化了晶體管器件的制作工藝，提高了生產效率。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種晶體管器件及其制造方法、顯示基板、顯示裝置。

背景技術

晶體管器件在顯示裝置中具有重要的地位，其中，低溫多晶硅氧化物(英文：Lowtemperature polycrystalline oxide；簡稱：LTPO)晶體管器件是顯示裝置中一種較常見的晶體管器件。

LTPO晶體管器件包括：襯底基板，以及位于襯底基板上的低溫多晶硅(英文：Lowtemperature poly silicon；簡稱：LTPS)晶體管和氧化物晶體管。其中，LTPS晶體管具有電子遷移率高的優點，氧化物晶體管具有漏電流較低的優點，因此，LTPO晶體管器件同時具有電子遷移率高和漏電流較低的優點。

但是，相關技術中生產LTPO晶體管器件的工藝復雜，無法運用到大規模生產中。

發明內容

本申請提供了一種晶體管器件及其制造方法、顯示基板、顯示裝置，可以解決現有技術晶體管器件的工藝復雜，無法運用到大規模生產中的問題，所述技術方案如下：

第一方面，提供了一種晶體管器件晶體管器件，該晶體管器件包括：襯底基板，以及位于襯底基板上的第一晶體管和第二晶體管。

第一晶體管包括第一有源層，第二晶體管包括第二柵極，第一有源層與第二柵極位于同層。

第二晶體管還包括第二有源層，第一有源層的材質與第二有源層的材質不同。

第一有源層的材質包括多晶硅，第二有源層的材質包括氧化物半導體。

第一有源層包括第一源區、第一溝道區和第一漏區，第二晶體管還包括：目標多晶硅塊。

第一源區、第一溝道區和第一漏區沿平行于襯底基板的方向依次排布；目標多晶硅塊和第二柵極沿遠離襯底基板的方向依次排布，且在襯底基板上的正投影重合；第一有源層的第一溝道區的材質與目標多晶硅塊的材質相同。

可選地，第一晶體管為頂柵結構，第二晶體管為底柵結構。

第一晶體管還包括第一柵極，第二晶體管還包括第二有源層，第一柵極與第二有源層位于同層。

可選地，第二有源層包括：第二源區、第二溝道區和第二漏區。第二源區、第二溝道區和第二漏區沿平行于襯底基板的方向依次排布；第二有源層中第二源區和第二漏區的材質與第一柵極的材質相同。

可選地，第一晶體管還包括：第一柵絕緣層、第一源漏絕緣層和第一源漏極，第二晶體管還包括：第二柵絕緣層、第二源漏絕緣層和第二源漏極。

第一柵絕緣層位于第一柵極和有源層之間，第二柵絕緣層位于第二柵極和第二有源層之間；

第一源漏絕緣層位于第一有源層和第一源漏極之間，第二源漏絕緣層位于第二有源層和第二源漏極之間。

可選地，第二柵絕緣層中遠離襯底基板的部分的材質包括：第一氧化物，第二源漏絕緣層中靠近襯底基板的部分的材質包括：第二氧化物。

可選地，第二柵絕緣層中靠近襯底基板的部分的材質包括：第一非氧化物，第二源漏絕緣層中遠離襯底基板的部分的材質包括：第二非氧化物。

可選地，第一柵絕緣層的材質與第二柵絕緣層的材質相同，第一源漏絕緣層的材質與第二源漏絕緣層的材質相同。