[發明專利]晶體管器件及其制造方法、顯示基板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201910410880.2
• 申請日: 2019-05-16
• 公開（公告）號: CN110098201A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發明（設計）人: 宮奎;李立;孫偉;張玉虎;余雷;王宏偉;徐茹
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

1.一種晶體管器件，其特征在于，所述晶體管器件(01)包括：襯底基板(011)，以及位于所述襯底基板(011)上的第一晶體管(012)和第二晶體管(013)，

所述第一晶體管(012)包括第一有源層(0121)，所述第二晶體管(013)包括第二柵極(0132)，所述第一有源層(0121)與所述第二柵極(0132)位于同層。

2.根據權利要求1所述的晶體管器件，其特征在于，所述第二晶體管(013)還包括第二有源層(0131)，所述第一有源層(0121)的材質與所述第二有源層(0131)的材質不同。

3.根據權利要求2所述的晶體管器件，其特征在于，所述第一有源層(0121)的材質包括多晶硅，所述第二有源層(0131)的材質包括氧化物半導體。

4.根據權利要求3所述的晶體管器件，其特征在于，所述第一有源層(0121)包括第一源區(01211)、第一溝道區(01212)和第一漏區(01213)，所述第二晶體管(013)還包括：目標多晶硅(0133)塊；

所述第一源區(01211)、所述第一溝道區(01212)和所述第一漏區(01213)沿平行于所述襯底基板(011)的方向依次排布；所述目標多晶硅(0133)塊和所述第二柵極(0132)沿遠離所述襯底基板(011)的方向依次排布，且在所述襯底基板(011)上的正投影重合；所述第一有源層(0121)的所述第一溝道區(01212)的材質與所述目標多晶硅(0133)塊的材質相同。

5.根據權利要求1至4任一所述的晶體管器件，其特征在于，所述第一晶體管(012)為頂柵結構，所述第二晶體管(013)為底柵結構。

6.根據權利要求5所述的晶體管器件，其特征在于，所述第一晶體管(012)還包括第一柵極(0122)，所述第二晶體管(013)還包括第二有源層(0131)，所述第一柵極(0122)與所述第二有源層(0131)位于同層。

7.根據權利要求6所述的晶體管器件，其特征在于，所述第二有源層(0131)包括：第二源區(01311)、第二溝道區(01312)和第二漏區(01313)；

所述第二源區(01311)、所述第二溝道區(01312)和所述第二漏區(01313)沿平行于所述襯底基板(011)的方向依次排布；所述第二有源層(0131)中所述第二源區(01311)和所述第二漏區(01313)的材質與所述第一柵極(0122)的材質相同。

8.根據權利要求6或7所述的晶體管器件，其特征在于，所述第二晶體管還包括：第二柵絕緣層(0134)、第二源漏絕緣層(0135)和第二源漏極；

所述第二柵絕緣層(0134)位于所述第二柵極(0132)和所述第二有源層(0131)之間，所述第二源漏絕緣層(0135)位于所述第二有源層(0131)和所述第二源漏極之間；

所述第二柵絕緣層(0134)中遠離所述襯底基板(011)的部分的材質包括：第一氧化物，所述第二源漏絕緣層(0135)中靠近所述襯底基板(011)的部分的材質包括：第二氧化物。

9.一種晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底基板上形成第一晶體管和第二晶體管；

其中，所述第一晶體管包括第一有源層，所述第二晶體管包括第二柵極，且所述第一有源層與所述第二柵極采用一次構圖工藝制成。