[發明專利]管芯清潔系統和相關方法

在審

• 申請號: 201910408847.6
• 申請日: 2019-05-17
• 公開（公告）號: CN110534476A
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: M·J·塞登
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/02
• 代理公司: 11038 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 張丹<國際申請>=<國際公布>=<進入國

本發明題為“管芯清潔系統和相關方法”。本發明涉及一種形成多個半導體管芯的方法，該方法的實施方式可以包括：在半導體襯底中的管芯鋸道的表面下方形成損傷層；沿著管芯鋸道將半導體襯底分割成多個半導體管芯；以及通過向多個半導體管芯施加聲能在分割之后移除管芯鋸道中的一個或多個顆粒。

背景技術

1.技術領域

本文檔的各方面通常涉及用于從半導體襯底分割管芯的系統和方法。

2.背景技術

半導體器件通常形成在半導體襯底的表面上和表面內。由于半導體襯底通常比器件大得多，因此器件被彼此分割成各種半導體管芯。使用鋸切半導體襯底的方法來將半導體管芯彼此分離。

發明內容

形成多個半導體管芯的方法的實施方式可以包括：在半導體襯底中的管芯鋸道的表面下方形成損傷層；沿著管芯鋸道將半導體襯底分割成多個半導體管芯；以及通過向多個半導體管芯施加聲能在分割之后移除管芯鋸道中的一個或多個顆粒。

形成多個半導體管芯的方法的實施方式可以包括以下各項中的一者、全部或任一者：

半導體襯底可以是碳化硅。

形成損傷層還可以包括：在管芯鋸道的表面下方的一個或多個間隔開的位置處，在半導體襯底內的焦點處用激光束輻照管芯鋸道，以形成損傷層。

形成損傷層還可以包括：在管芯鋸道的表面下方的一個或多個間隔開的位置處，在半導體襯底內的第一深度的焦點處用激光束輻照管芯鋸道；以及在管芯鋸道的表面下方的一個或多個間隔開的位置處，在半導體襯底內的第二深度的焦點處用激光束輻照管芯鋸道。

分割半導體襯底可以包括鋸切半導體襯底。

該方法可以包括使用激光燒蝕管芯鋸道的材料的一部分。

半導體襯底可以使用隱形劃片來分割。

施加聲能可以包括施加介于20kHz至3GHz之間的聲能。

形成多個半導體管芯的方法的實施方式可以包括：在管芯鋸道下方的焦點處用激光束輻照半導體襯底以形成損傷層；沿著管芯鋸道將半導體襯底鋸切成多個半導體管芯；以及通過向多個半導體管芯施加聲能在分割之后移除管芯鋸道中的一個或多個顆粒。

形成多個半導體管芯的方法的實施方式可以包括以下各項中的一者、全部或任一者：

施加聲能可以包括施加介于20kHz至3GHz之間的聲能。

半導體襯底可以是碳化硅。

該方法可以包括使用激光燒蝕管芯鋸道的材料的一部分。

形成損傷層還可以包括：在管芯鋸道的表面下方的一個或多個間隔開的位置處，在半導體襯底內的第一深度的焦點處用激光束輻照管芯鋸道；以及在管芯鋸道的表面下方的一個或多個間隔開的位置處，在半導體襯底內的第二深度的焦點處用激光束輻照管芯鋸道。

該方法可以包括在施加聲能的同時用液體噴射多個半導體管芯。

該方法可以包括在切割半導體襯底的同時向鋸片施加聲能。

形成多個半導體管芯的方法的實施方式可以包括：沿著管芯鋸道將碳化硅半導體襯底分割成多個半導體管芯；向碳化硅半導體襯底施加聲能；以及通過向多個半導體管芯施加聲能在分割碳化硅半導體襯底之后移除管芯鋸道中的一個或多個顆粒。

形成多個半導體管芯的方法的實施方式可以包括以下各項中的一者、全部或任一者：

施加聲能可以包括施加介于20kHz至3GHz之間的聲能。

向碳化硅半導體襯底施加聲能可以包括直接向與耦接到碳化硅半導體襯底的卡盤耦接的主軸施加聲能。