[發(fā)明專利]管芯清潔系統(tǒng)和相關(guān)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910408847.6
• 申請日: 2019-05-17
• 公開（公告）號: CN110534476A
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·J·塞登
• 申請（專利權(quán)）人: 半導體元件工業(yè)有限責任公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/02
• 代理公司: 11038 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 張丹<國際申請>=<國際公布>=<進入國

1.一種形成多個半導體管芯的方法，所述方法包括：

在半導體襯底中的管芯鋸道的表面下方形成損傷層；

沿著所述管芯鋸道將所述半導體襯底分割成多個半導體管芯；以及

通過向所述多個半導體管芯施加聲能在分割之后移除所述管芯鋸道中的一個或多個顆粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成損傷層還包括：在所述管芯鋸道的所述表面下方的一個或多個間隔開的位置處在所述半導體襯底內(nèi)的焦點處用激光束輻照所述管芯鋸道，以形成所述損傷層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成損傷層還包括：

在所述管芯鋸道的所述表面下方的一個或多個間隔開的位置處在所述半導體襯底內(nèi)的第一深度的焦點處用激光束輻照所述管芯鋸道；以及

在所述管芯鋸道的所述表面下方的一個或多個間隔開的位置處在所述半導體襯底內(nèi)的第二深度的焦點處用激光束輻照所述管芯鋸道。

4.一種形成多個半導體管芯的方法，所述方法包括：

在管芯鋸道下方的焦點處用激光束輻照半導體襯底以形成損傷層；

沿著所述管芯鋸道將所述半導體襯底鋸切成多個半導體管芯；以及

通過向所述多個半導體管芯施加聲能在分割之后移除所述管芯鋸道中的一個或多個顆粒。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，輻照所述半導體襯底還包括：

在所述管芯鋸道的所述表面下方的一個或多個間隔開的位置處在所述半導體襯底內(nèi)的第一深度的焦點處用激光束輻照所述管芯鋸道；以及

在所述管芯鋸道的所述表面下方的一個或多個間隔開的位置處在所述半導體襯底內(nèi)的第二深度的焦點處用激光束輻照所述管芯鋸道。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括在施加所述聲能的同時用液體噴射所述多個半導體管芯。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括在切割所述半導體襯底的同時向鋸片施加聲能。

8.一種形成多個半導體管芯的方法，所述方法包括：

沿著管芯鋸道將碳化硅半導體襯底分割成多個半導體管芯；

向所述碳化硅半導體襯底施加聲能；

通過向所述多個半導體管芯施加聲能在分割所述碳化硅半導體襯底之后移除所述管芯鋸道中的一個或多個顆粒。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，向所述碳化硅半導體襯底施加聲能還包括直接向與卡盤耦接的主軸施加聲能，所述卡盤耦接到所述碳化硅半導體襯底。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括以下中的一者：在施加所述聲能的同時用液體噴射所述多個半導體管芯，以及在施加所述聲能的同時將所述多個半導體管芯浸入液體中。