[發明專利]改善漿料流動性的拋光墊及其制備方法

在審

• 申請號: 201910407219.6
• 申請日: 2019-05-15
• 公開（公告）號: CN110625511A
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 尹晟勛;徐章源;許惠暎;尹鐘旭;安宰仁;文壽泳
• 申請（專利權）人: SKC株式會社
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;B24B37/20;B24B37/22;B24B37/26;B24B55/06;B24D18/00
• 代理公司: 44202 廣州三環專利商標代理有限公司
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

本申請提供一種拋光墊，其包括多個第一凹槽，該第一凹槽為具有相同中心的幾何形狀；和多個第二凹槽，該第二凹槽從該中心向外周邊徑向延伸，其中該第二凹槽的深度等于或者深于該第一凹槽的深度。拋光墊可以快速排出在拋光過程中產生的任何碎屑，以減少例如晶片表面上的劃痕等缺陷。

[技術領域]

本申請實施方案涉及用于半導體的化學機械平坦化(CMP)工藝的拋光墊及其制備方法。

[背景技術]

在制備半導體的過程中的化學機械平坦化(CMP)工藝是指將晶片固定到拋光頭并與安裝在壓板上的拋光墊的表面接觸，然后通過以下方式對晶片進行化學處理：當壓板和拋光頭相對移動時供應漿料，從而機械地使晶片表面上的不規則部分平坦化。

拋光墊是在CMP工藝中起重要作用的必要部件。通常，拋光墊由聚氨酯基樹脂組成，并且在其表面上具有用于大流量的漿料的凹槽，和用于支撐漿料微流動的孔。

凹槽可以具有各種形狀。例如，凹槽可以為具有相同中心的圓形(參見韓國公開專利No.2005-95818)。設置在拋光墊上的凹槽在支撐漿料的同時允許漿料流動，從而輔助晶片表面的平坦化。

[發明內容]

[技術問題]

在CMP工藝中，重要的是不僅要增強晶片表面的平整度，而且要減少在拋光過程中可能出現的任何缺陷。特別地，在CMP工藝過程中產生的碎屑可能卷入晶片和拋光墊之間，從而引起不規則的劃痕；或碎屑可能滲透到設備中，成為雜質。

因此，本申請實施方案旨在提供一種拋光墊及其制備方法，該拋光墊具有凹槽，能夠加速漿料的拋光作用并快速排出在CMP工藝過程中產生的任何碎屑，以減少例如晶片表面上的劃痕等缺陷。

[技術問題解決方案]

本申請一實施方案提供了一種拋光墊，所述拋光墊包括拋光層，其中所述拋光層在其拋光表面上包括：多個第一凹槽，所述第一凹槽為具有相同中心的幾何形狀；和多個第二凹槽，所述第二凹槽從所述中心向外周邊徑向延伸；并且所述第二凹槽的深度等于或深于所述第一凹槽的深度。

本申請另一實施方案提供了一種制備拋光墊的方法，包括：(1)制備拋光層；(2)在所述拋光層的拋光表面上形成多個第一凹槽，所述第一凹槽為具有相同中心的幾何形狀；和(3)在所述拋光層的拋光表面上形成多個第二凹槽，所述第二凹槽從所述中心向外周邊徑向延伸；其中所述第二凹槽的深度等于或深于所述第一凹槽的深度。

[本發明的有益效果]

根據本申請實施方案提供的拋光墊在拋光表面上具有第一凹槽和第二凹槽。其特定形狀和尺寸能夠加速漿料的拋光作用并快速排出在拋光過程中產生的任何碎屑，以減少例如晶片表面上的劃痕等缺陷。

[附圖說明]

圖1是根據一實施方案的拋光墊的平面圖。

圖2a是圖1拋光墊的A1-A1'截面圖。

圖2b是圖1拋光墊的A2-A2'截面圖。

圖3a和圖3b示出了根據一實施方案的形成凹槽的方法。

圖4a和圖4b示出了形成圓形部分的方法和用于形成圓形部分的研磨器。

圖5是圖1中A區域的放大透視圖，示出了圓形部分。

圖6a、圖6b、圖6c分別是圖5的B-B'、C-C'和D-D'截面圖。

附圖標記

100：拋光層 101：拋光表面

110：第一凹槽 111,121：內表面