[發(fā)明專利]改善漿料流動(dòng)性的拋光墊及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910407219.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-05-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110625511A | 公開(公告)日: | 2019-12-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 尹晟勛;徐章源;許惠暎;尹鐘旭;安宰仁;文壽泳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | SKC株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | B24B29/02 | 分類號(hào): | B24B29/02;B24B37/20;B24B37/22;B24B37/26;B24B55/06;B24D18/00 |
| 代理公司: | 44202 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址: | 韓國京畿道水原*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 拋光墊 晶片表面 徑向延伸 拋光過程 外周邊 劃痕 排出 碎屑 申請(qǐng) | ||
1.一種拋光墊,所述拋光墊包括拋光層,
其中,所述拋光層在其拋光表面上包括:
多個(gè)第一凹槽,所述第一凹槽為具有相同中心的幾何形狀;和
多個(gè)第二凹槽,所述第二凹槽從所述中心向外周邊徑向延伸;并且
所述第二凹槽的深度等于或深于所述第一凹槽的深度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊,其中所述第二凹槽的深度為所述第一凹槽的深度的100%至300%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的拋光墊,其中所述第二凹槽的深度為所述第一凹槽的深度的125%至150%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊,其中所述第二凹槽的深度為所述拋光層的厚度的90%以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊,其中所述第二凹槽的寬度為所述第一凹槽的寬度的50%至200%。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的拋光墊,其中所述第二凹槽的寬度為所述第一凹槽的寬度的100%至200%。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的拋光墊,其中所述第二凹槽的寬度為0.2mm至2mm,所述第二凹槽的深度為0.4mm至4mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊,其中所述拋光墊包括5至15個(gè)以一定角度彼此間隔的所述第二凹槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的拋光墊,其中所述第一凹槽的間距為1mm至10mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拋光墊,其中所述第一凹槽和所述第二凹槽各自包括垂直于所述拋光表面的內(nèi)表面和平行于所述拋光表面的底表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的拋光墊,其中所述拋光墊包括圓形部分,所述圓形部分在所述拋光表面與所述內(nèi)表面相交的邊緣處被加工成曲面。
12.一種制備拋光墊的方法,包括:
(1)制備拋光層;
(2)在所述拋光層的拋光表面上形成多個(gè)第一凹槽,所述第一凹槽為具有相同中心的幾何形狀;和
(3)在所述拋光層的拋光表面上形成多個(gè)第二凹槽,所述第二凹槽從所述中心向外周邊徑向延伸;
其中所述第二凹槽的深度等于或深于所述第一凹槽的深度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制備拋光墊的方法,其中通過切割和去除所述拋光表面的一部分來形成所述第一凹槽和所述第二凹槽。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備拋光墊的方法,其中使用尖端進(jìn)行切割。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制備拋光墊的方法,其中形成所述第一凹槽和所述第二凹槽包括:通過切割形成垂直于所述拋光表面的內(nèi)表面和平行于所述拋光表面的底表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制備拋光墊的方法,其中所述方法進(jìn)一步包括:
在形成所述第一凹槽和所述第二凹槽之后,將所述拋光表面與所述內(nèi)表面相交的邊緣加工成曲面。
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