[發(fā)明專利]濕法刻蝕設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910406084.1
• 申請日: 2019-05-16
• 公開（公告）號: CN110197802B
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳建鋒
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，包括：

刻蝕腔，用于容納并刻蝕基片，在其前端具有入口，在其后端具有出口；

至少一遮蔽門，為翻折類型的遮蔽門，通過一轉(zhuǎn)軸安裝于所述入口或出口，所述遮蔽門與所述基片行進(jìn)的方向垂直，當(dāng)所述基片通過時，所述遮蔽門能夠打開，而當(dāng)所述基片不需要通過時，所述遮蔽門能夠關(guān)閉；以及

至少一噴淋管，設(shè)置于所述轉(zhuǎn)軸上，當(dāng)所述遮蔽門打開時，所述噴淋管與所述遮蔽門一起轉(zhuǎn)動并離開所述入口或所述出口，并且所述噴淋管位于所述基片行進(jìn)通道的下方，當(dāng)所述遮蔽門關(guān)閉時，所述噴淋管與所述遮蔽門共同復(fù)位，所述遮蔽門關(guān)閉所述入口或出口，并且所述噴淋管位于所述基片行進(jìn)通道的上方；所述噴淋管能夠朝四周噴射液體，以清洗在所述入口或出口處形成的刻蝕液結(jié)晶；

其中，所述遮蔽門包括：

遮蔽擋板，具有相互平行的第一表面和第二表面；以及

刮板，垂直設(shè)于所述遮蔽擋板的第二表面，所述刮板在所述遮蔽門關(guān)閉過程中刮除在所述入口或所述出口上形成的刻蝕液結(jié)晶。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述遮蔽門還包括：

安裝板，垂直設(shè)于所述遮蔽擋板的第一表面，所述安裝板與所述轉(zhuǎn)軸固定連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述噴淋管包括：

噴淋管本體；以及

多組細(xì)孔，分布于所述噴淋管本體上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，還包括：

至少一緩沖腔，連接于所述刻蝕腔的前端或后端；所述緩沖腔通過所述遮蔽門與所述刻蝕腔相連通；所述緩沖腔容納所述轉(zhuǎn)軸及設(shè)置于所述轉(zhuǎn)軸上的所述遮蔽門和所述噴淋管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述濕法刻蝕設(shè)備包括：

兩個緩沖腔，包括一前緩沖腔和一后緩沖腔，其中所述前緩沖腔設(shè)置在所述刻蝕腔的前端，所述后緩沖腔設(shè)置在所述刻蝕腔的后端；

兩個遮蔽門，包括一前遮蔽門和一后遮蔽門，所述前遮蔽門通過一轉(zhuǎn)軸安裝于所述刻蝕腔的入口，而所述后遮蔽門通過另一轉(zhuǎn)軸安裝于所述刻蝕腔的出口；以及

兩個噴淋管，分別位于所述前緩沖腔和所述后緩沖腔中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述后緩沖腔還包括至少一風(fēng)刀單元，與所述基片行進(jìn)的方向傾斜設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述風(fēng)刀單元可向所述基片噴射壓縮氣體或液體。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述風(fēng)刀單元包括逆止閥，用于控制所述風(fēng)刀單元噴射氣體時避免液體回流。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，還包括

水箱，設(shè)置于所述噴淋管下方。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述水箱還包括

進(jìn)液口，設(shè)置于所述水箱的底面；以及

出液口，設(shè)置于所述水箱的底面且所述出液口的水平面高于所述底面。